HUF76419D3ST-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

## 产品简介：

**型号：** HUF76419D3ST-VB  
**品牌：** VBsemi  
**封装：** TO252  

HUF76419D3ST-VB是一款N沟道MOSFET，具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流承受能力。其特性包括低导通电阻和合适的阈值电压，适用于多种领域和应用模块。

## 参数说明：

- **N沟道沟道MOSFET**
- **漏极-源极电压（VDS）:** 60V
- **漏极电流（ID）:** 45A
- **导通电阻（RDS(ON)):** 24mΩ @ VGS=10V, 20V
- **阈值电压（Vth):** 1.8V
- **封装类型:** TO252  

## 应用领域和模块示例：

1. **电源模块：** HUF76419D3ST-VB的高漏极电流承受能力和低导通电阻使其成为电源模块中的理想选择，特别是在高性能、高效率的电源设计中。

2. **电机驱动：** 由于其能够承受较高电流和电压，因此在电机驱动模块中，特别是需要高效率和快速开关的应用中，这款MOSFET可以发挥重要作用。

3. **电动车电池管理系统（BMS）：** 电动车电池管理系统需要控制和保护电池，而HUF76419D3ST-VB的低导通电阻和高电压承受能力使其成为BMS模块中的一部分，用于电池的保护和管理。

4. **LED照明：** 在LED照明模块中，这款MOSFET可用于调光和控制LED灯的亮度，其高效率和低损耗特性有助于提高整体系统的能效。

5. **工业自动化：** 在工业自动化控制系统中，这款MOSFET可以用于驱动各种执行器和电机，以实现高效的自动化生产流程。

HUF76419D3ST-VB的特性使其适用于许多不同的应用领域，为各种电子系统提供高性能和可靠性。