2SJ637-TL-E-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

**型号：2SJ637-TL-E-VB**

2SJ637-TL-E-VB 是一款单P沟道MOSFET，采用沟槽技术制造，具有高可靠性和性能稳定性。该器件设计用于高压应用，能够在-100V的漏源电压下提供可靠的性能。

### 详细参数说明

- **封装类型**：TO252
- **配置**：单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**：-100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：-2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
  - 280mΩ @ VGS = 4.5V
  - 250mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：-8.8A
- **技术类型**：沟槽型（Trench）

### 应用领域和模块示例

**电源管理**：2SJ637-TL-E-VB 可用作电源管理模块中的高效功率开关，如在电源适配器和开关模式电源中。

**电动工具**：适用于电动工具中的电机驱动和控制，可提供可靠的功率开关控制，如电动钻、电锯等工具。

**汽车电子**：在汽车电子系统中，该器件可用于车载电源管理、照明控制和其他高压应用，提供稳定的电源控制。

**工业控制**：用于工业自动化和控制系统中的高压开关，如在PLC（可编程逻辑控制器）和工业电机驱动器中。

**LED照明**：在高功率LED照明系统中，可用作高效能的电源开关，提供稳定的电流控制和节能功能。

2SJ637-TL-E-VB 的设计和参数使其成为多种高压应用的理想选择，能够提供可靠的性能和高效的电源管理能力。