2SJ364-VB一款P-Channel沟道SC70-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、产品简介

**2SJ364-VB MOSFET** 是VBsemi 公司生产的一款单P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。封装形式为SC70-3，适用于低功率应用场景。

### 二、详细参数说明

- **封装形式**：SC70-3
- **配置**：单P-沟道
- **漏源电压（VDS）**：-60V
- **栅源电压（VGS）**：20V（±）
- **栅极阈值电压（Vth）**：-1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
  - 5000mΩ @ VGS = 4.5V
  - 4000mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**：-0.135A
- **技术类型**：沟槽技术

### 三、应用领域和模块举例

**应用领域：**

1. **移动设备**：
   - 由于2SJ364-VB MOSFET 具有低功耗特性，可用于移动设备中的电源管理、信号开关等电路。

2. **传感器接口**：
   - 适用于传感器接口电路中的信号处理和开关控制。

3. **低功率驱动**：
   - 可用于各种低功率驱动电路，如小型电机控制、LED驱动等。

**模块应用举例：**

1. **手持设备电源管理**：
   - 用于手机、平板电脑等手持设备中的电源管理模块，实现高效能耗管理。

2. **传感器模块**：
   - 适用于各种传感器模块中的信号处理和控制电路，如温度传感器、湿度传感器等。

3. **LED控制模块**：
   - 用于LED灯带、背光模块等低功率LED控制电路中，实现亮度调节和开关控制。