2N60LL-TF1-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的2N60LL-TF1-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装在TO220F中。这款MOSFET具有较高的漏源电压和适中的导通电阻，适用于中功率开关应用，如电源管理、电机控制等领域。

### 详细的参数说明

- **型号**: 2N60LL-TF1-T-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
  - 1700mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: Plannar

### 应用领域和模块

1. **电源管理**
   - **应用场景**: 用作中功率开关元件，用于DC-DC转换器和AC-DC转换器中，提供稳定的电源输出。
   - **模块**: 电源适配器、电源模块、电源管理IC。

2. **电机控制**
   - **应用场景**: 用于中功率电机的驱动电路，提供对电机的有效控制。
   - **模块**: 中功率电机驱动器、工业电机控制系统。

3. **照明**
   - **应用场景**: 用作LED照明系统中的开关元件，控制LED的亮度和开关。
   - **模块**: LED驱动器、照明控制系统。

2N60LL-TF1-T-VB适用于中功率开关应用，能够提供稳定可靠的性能，在电源管理、电机控制和照明等领域有广泛的应用。