25N95K3-VB一种N-Channel沟道TO247封装MOS管

### 一、产品简介

**型号：25N95K3-VB**

VBsemi的25N95K3-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术制造。它具有900V的漏源电压、20A的漏极电流承载能力，适用于高压高功率应用。该产品封装在TO247中，具有优越的热性能和电气特性，适用于各种电力和电子领域。

### 二、详细参数说明

- **型号**：25N95K3-VB
- **封装**：TO247
- **配置**：单N沟道
- **VDS（漏源电压）**：900V
- **VGS（栅源电压）**：±30V
- **Vth（阈值电压）**：3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：205mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）**：20A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 三、应用领域和模块举例

1. **工业电力系统**
   - **高压直流输电**：25N95K3-VB适用于高压直流输电系统中的开关控制，提供稳定的电力输送。
   - **变频器**：用于工业变频器中的功率开关控制，实现高效的电机控制和能量转换。

2. **电动汽车充电桩**
   - **充电桩**：在电动汽车充电桩中，25N95K3-VB作为关键元件，提供高效的电源管理和充电控制。
   - **高压直流充电**：适用于高压直流充电桩中的开关控制，确保电动汽车快速充电和安全运行。

3. **太阳能逆变器**
   - **逆变器**：用于太阳能逆变器中的功率开关控制，实现太阳能电能的高效转换和输出。
   - **并网逆变器**：适用于并网太阳能逆变器中的开关控制，提供稳定的电力输出和并网运行。

4. **电力电子设备**
   - **电力模块**：在各种电力电子设备中，25N95K3-VB作为关键元件，提供稳定可靠的功率开关控制。
   - **电力驱动器**：适用于电力驱动器中的功率开关，实现高效的电机驱动和能量转换。

通过以上领域和模块的应用，25N95K3-VB展示了其在高压高功率环境下的稳定性和可靠性，是多种高性能电子设备和系统的理想选择。