20N65-VB一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、产品简介

**型号：20N65-VB TO247**

VBsemi的20N65-VB TO247是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了Plannar技术制造。它具有650V的漏源电压、18A的漏极电流承载能力，适用于中高压应用。该产品封装在TO247中，具有优越的热性能和电气特性，适用于各种电力和电子领域。

### 二、详细参数说明

- **型号**：20N65-VB TO247
- **封装**：TO247
- **配置**：单N沟道
- **VDS（漏源电压）**：650V
- **VGS（栅源电压）**：±30V
- **Vth（阈值电压）**：3.5V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：430mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）**：18A
- **技术**：Plannar

### 三、应用领域和模块举例

1. **电力变换器**
   - **电力逆变器**：20N65-VB TO247适用于中高压电力逆变器中的开关控制，实现高效的电能转换和稳定的电流输出。
   - **高压直流输电**：用于高压直流输电系统中的开关控制，提供高效的电力传输和管理。

2. **工业电源**
   - **工业UPS**：在工业UPS中，20N65-VB TO247作为开关元件，确保设备在停电时提供稳定的电力输出。
   - **工业电源模块**：适用于工业电源模块中的开关控制，提供可靠的电力供应和稳定性。

3. **电动车充电系统**
   - **快速充电桩**：用于电动车快速充电桩中的电源控制，提供高效的充电解决方案。
   - **电池管理系统**：适用于电动车电池管理系统中的电池充放电控制，提供高效能的电能管理解决方案。

4. **太阳能逆变器**
   - **太阳能逆变器**：20N65-VB TO247在太阳能逆变器中作为关键元件，实现太阳能电能向电力网络的高效转换。
   - **光伏发电系统**：适用于光伏发电系统中的电力管理和逆变控制，提高系统的能效比和稳定性。

通过以上领域和模块的应用，20N65-VB TO247展示了其在中高压环境下的稳定性和可靠性，是多种高性能电子设备和系统的理想选择。