14NM65N-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的14NM65N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有700V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为350mΩ，具有15A的漏极电流（ID）和3.5V的阈值电压（Vth）。

### 参数说明

- **型号**: 14NM65N-VB
- **封装**: TO220
- **结构**: 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 700V
- **VGS（栅极-源极电压）**: 30V（±）
- **Vth（阈值电压）**: 3.5V
- **RDS(ON)（漏极-源极导通电阻）**: 
  - VGS=10V时：350mΩ
- **ID（漏极电流）**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例

1. **电源逆变器**: 由于14NM65N-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流容量，适用于一些逆变器中的功率开关和控制电路。
2. **电动车电机驱动**: 在电动车的电机驱动系统中，MOSFET通常用于控制电机的启停和速度调节。14NM65N-VB可用于电动车的电机驱动器中，提供高效率的功率控制。
3. **工业控制**: 在工业控制领域，MOSFET通常用于各种控制电路和功率开关。14NM65N-VB可用于工业控制系统中的功率开关和控制电路。
4. **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中，MOSFET通常用于控制电路和功率开关。14NM65N-VB可用于太阳能逆变器中的功率开关和控制电路，提供高效率的能量转换。

### 产品简介

VBsemi的14NM65N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有700V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）在VGS=10V时为350mΩ，具有15A的漏极电流（ID）和3.5V的阈值电压（Vth）。

### 参数说明

- **型号**: 14NM65N-VB
- **封装**: TO220
- **结构**: 单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 700V
- **VGS（栅极-源极电压）**: 30V（±）
- **Vth（阈值电压）**: 3.5V
- **RDS(ON)（漏极-源极导通电阻）**: 
  - VGS=10V时：350mΩ
- **ID（漏极电流）**: 15A
- **技术**: SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块示例

1. **电源逆变器**: 由于14NM65N-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流容量，适用于一些逆变器中的功率开关和控制电路。
2. **电动车电机驱动**: 在电动车的电机驱动系统中，MOSFET通常用于控制电机的启停和速度调节。14NM65N-VB可用于电动车的电机驱动器中，提供高效率的功率控制。
3. **工业控制**: 在工业控制领域，MOSFET通常用于各种控制电路和功率开关。14NM65N-VB可用于工业控制系统中的功率开关和控制电路。
4. **太阳能逆变器**: 在太阳能逆变器中，MOSFET通常用于控制电路和功率开关。14NM65N-VB可用于太阳能逆变器中的功率开关和控制电路，提供高效率的能量转换。

以上领域和模块仅为示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。