108N15N-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
108N15N-VB是一款TO263封装的单路N沟道MOSFET。它具有150V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负值），3V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导通电阻为7.5mΩ（RDS(ON)），以及128A的漏极电流（ID）。该产品采用槽沟道（Trench）技术制造。

**详细参数说明：**
- 封装：TO263
- 极性：N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：150V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：3V
- 导通电阻（RDS(ON)）：7.5mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：128A
- 技术：槽沟道（Trench）

**适用领域和模块：**
- 电源管理：108N15N-VB适用于需要高电压和大电流的电源管理，例如电源开关、电池管理系统等。
- 电机控制：由于其高漏极电流和低导通电阻，这款MOSFET可以用于电机驱动电路中，实现高效率的电机控制。
- 逆变器：对于需要高效率的逆变器，108N15N-VB可以用作逆变器的关键元件，实现高效率的能量转换。
- 新能源汽车：在新能源汽车的驱动系统中，这款MOSFET可以用作电机控制器的开关元件，实现高效率的能量转换。

以上只是一些例子，实际上，108N15N-VB还可以用于许多其他领域和模块，具体取决于应用的要求和设计的需要。