08N80C3-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

08N80C3-VB是VBsemi推出的TO220封装单路N沟道MOSFET产品。以下是该产品的详细参数说明：

- **包装：** TO220
- **配置：** 单路N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 800V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 600mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 9A
- **技术：** SJ_Multi-EPI

该产品适用于以下领域和模块：
1. **电源供应模块：** 由于其高漏极-源极电压（VDS）和较高的漏极电流（ID）能力，适用于高压电源模块的开关和控制。
2. **工业控制模块：** 可用于工业设备和机械的开关和控制，具有较好的耐压和耐电流能力。
3. **电动车充电模块：** 适用于电动车的充电模块，能够承受高电压和电流。
4. **LED照明模块：** 作为LED照明模块的开关元件，具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电压能力。
5. **工业自动化模块：** 用于工业自动化控制系统中的开关和控制，具有良好的稳定性和可靠性。

以上是08N80C3-VB MOSFET产品的详细介绍和应用领域说明。