052N04N-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

以下是VBsemi公司的MOSFET产品052N04N-VB的详细信息：

1. 产品简介：

   052N04N-VB是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术制造，适用于各种领域和模块的电路设计。其主要特点包括40V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS）、2.5V的阈值电压（Vth）、6mΩ@VGS=4.5V和5mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)）、以及100A的漏极电流（ID）。

2. 参数说明：

   - 型号：052N04N-VB
   - 封装：TO263
   - 极性：N沟道
   - 漏极-源极电压（VDS）：40V
   - 栅极-源极电压（VGS）：±20V
   - 阈值电压（Vth）：2.5V
   - 导通电阻（RDS(ON)）：6mΩ@VGS=4.5V、5mΩ@VGS=10V
   - 漏极电流（ID）：100A
   - 技术：Trench

3. 应用举例：

   052N04N-VB适用于多种领域和模块，例如：

   - 电源管理：适用于低电压和高电流的电源开关和稳压器，特别是在高效DC-DC转换器中。
   - 电机驱动：用于电动工具、家用电器和工业机械的电机控制，提供可靠的高电流驱动能力。
   - 车载电子：适用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制，提升系统的能效和可靠性。
   - 工业控制：用于工业自动化和机器人控制等领域，适应苛刻的工作环境和高电流要求。

以上是052N04N-VB MOSFET产品的详细信息及其适用领域和模块的举例说明。