W356-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管

型号: W356-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- N+P-Channel沟道
- 额定电压: ±60V
- 最大电流: 6.5A (正向), -5A (反向)
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)): 28mΩ @ VGS=10V, 51mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压(Vth): ±1.9V
封装: SOP8

详细参数说明:
W356-VB是一款N+P-Channel沟道MOSFET，适用于双极性应用。其额定电压为±60V，能够承受较高的电压波动。最大正向电流为6.5A，最大反向电流为-5A，静态漏极-源极电阻在不同的门源电压下分别为28mΩ和51mΩ，具有优异的电流承载能力。阈值电压为±1.9V，具有稳定的电压控制特性。

应用简介:
1. 电源转换器模块: W356-VB适用于电源转换器模块，如直流-直流转换器和直流-交流逆变器，以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. 电动车辆动力系统: 该器件适用于电动车辆的动力系统，如电动汽车的电池管理系统和电机驱动器，确保车辆的高效运行和安全性。
3. 工业控制电路: W356-VB可用于工业控制电路，如PLC（可编程逻辑控制器）和工厂自动化设备的电源开关和电流控制模块，确保设备的稳定运行和高效能耗。

这些示例说明了W356-VB器件在电源转换器、电动车辆动力系统和工业控制电路等领域的适用性和应用场景。