ST2341M-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

型号: ST2341M-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

**参数:**
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: P-Channel
- 最大工作电压: -30V
- 最大连续漏极电流: -5.6A
- 开启电阻 (RDS(ON)): 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): -1V

**应用简介:**
ST2341M-VB是一款P-Channel沟道的SOT23封装型MOSFET。它的主要特点包括在-30V工作电压下能够提供高达-5.6A的最大连续漏极电流，以及在不同Gate-Source电压下具有低的导通电阻（RDS(ON)）。该器件的阈值电压（Vth）为-1V，适用于各种电源管理和开关应用。

**领域和模块应用:**
1. **电源管理模块:** 由于其P-Channel特性和适中的工作电压，ST2341M-VB可用于电源管理模块，如电源开关和逆变器。
   
2. **电源逆变器:** 适用于需要P-Channel MOSFET的电源逆变器，其低导通电阻和高漏极电流使其成为有效能量转换的理想选择。

3. **电源逆变器:** 适用于需要P-Channel MOSFET的电源逆变器，其低导通电阻和高漏极电流使其成为有效能量转换的理想选择。

请注意，以上是一般的参数说明和应用简介，具体的应用和模块设计仍需根据具体的电路要求进行详细的工程分析和设计。