NTR1P02T1G-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**VBsemi NTR1P02T1G-VB 详细参数说明：**

- **型号：** NTR1P02T1G-VB
- **丝印：** VB2290
- **品牌：** VBsemi
- **封装：** SOT23
- **通道类型：** P—Channel
- **最大承受电压：** -20V
- **最大电流：** -4A
- **导通电阻：** RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V
- **阈值电压：** Vth=-0.81V

**应用简介：**

VBsemi的NTR1P02T1G-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应管。具有最大-20V的承受电压和-4A的电流承受能力。其导通电阻为57mΩ，阈值电压为-0.81V。

**适用领域及模块举例：**

1. **电源开关模块：** 由于NTR1P02T1G-VB具有P—Channel沟道和较低的导通电阻，适合用于电源开关模块，实现高效的电源控制。

2. **电源逆变器：** 在需要P—Channel沟道的电源逆变器中，该器件能够提供可靠的电流控制和功率逆变功能。

3. **电池保护模块：** 用于电池保护模块，可实现对电池的过流和过压保护，确保电池的安全使用。

4. **稳压电路：** 由于器件承受电压高，适用于需要稳定输出的稳压电路，如稳压器和稳压模块。

总体而言，NTR1P02T1G-VB适用于需要P—Channel沟道、较低导通电阻以及电源控制和保护功能的电路模块，特别在电源开关、电池保护和稳压电路等领域具有广泛的应用潜力。