NTMSD3P102R2G-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管

产品型号：NTMSD3P102R2G-VB

丝印：VBA4338

品牌：VBsemi

详细参数说明：
- 通道类型：2个P沟道
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-7A
- 开态电阻：35mΩ（在VGS=10V和VGS=20V时）
- 阈值电压：-1.5V
- 封装：SOP8

应用简介：
NTMSD3P102R2G-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于各种电源控制和功率管理应用。其稳定可靠的特性使其在多个领域得到广泛应用。

举例说明：
1. 电池保护模块：由于NTMSD3P102R2G-VB具有负电压额定值和最大电流能力，适用于锂电池组中的保护模块，包括电池过充、过放、短路保护等功能。
2. 电源逆变器：该器件的低开态电阻和负阈值电压使其成为电源逆变器中的关键元件，可用于太阳能逆变器、电动车充电器等应用中，提供稳定可靠的电源转换。
3. 汽车电子系统：NTMSD3P102R2G-VB适用于汽车电子系统中的功率控制模块，包括汽车充电管理、电动窗控制等模块，提供高效的功率管理和保护功能。
4. LED照明系统：由于其高效能和稳定性，可用于LED照明系统中的驱动器、调光器等模块，提供可靠的功率控制和照明效果。