FW356-TL-E-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管

产品型号: FW356-TL-E-VB

丝印: VBA5638

品牌: VBsemi

参数:
- 沟道类型: N+P沟道
- 工作电压: ±60V
- 最大电流: 6.5/-5A
- 导通电阻: RDS(ON)=28/51mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth=±1.9V
- 封装: SOP8

应用简介:
FW356-TL-E-VB是一款N+P沟道功率MOSFET，具有高电压和高电流的特性，适用于多种应用场景。

举例说明：
1. 电源模块：由于FW356-TL-E-VB具有±60V的工作电压和6.5/-5A的最大电流，可用于设计稳定的电源模块，如开关电源、直流-直流转换器等。
2. 电机驱动：该产品的低导通电阻和高阈值电压使其适用于电机驱动模块，能够有效控制电机的运行和停止，如电动汽车驱动器、家用电器驱动器等。
3. LED照明：FW356-TL-E-VB的高电压容忍度和低导通电阻使其成为LED照明模块的理想选择，如LED驱动电路、灯光控制模块等。

通过以上例子，可以看出FW356-TL-E-VB适用于电源、电机驱动、LED照明等领域，并且可用于设计对高电压和高电流要求较高的模块。