FDS4885C-NL-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管

**产品型号：** FDS4885C-NL-VB  
**丝印：** VBA5415  
**品牌：** VBsemi  

**参数：**  
- **沟道类型：** N+P—Channel
- **最大耐压：** ±40V
- **电流：** 8A（正向） / -7A（反向）
- **导通电阻：** RDS(ON)=15mΩ @ VGS=10V，RDS(ON)=19mΩ @ VGS=20V
- **门源极阈值电压：** Vth=±1.8V

**封装：** SOP8  

**详细参数说明：**  
FDS4885C-NL-VB是一款N+P—Channel沟道的MOSFET，具有±40V的耐压和8A（正向） / -7A（反向）的电流特性。在VGS=10V时，导通电阻为15mΩ，VGS=20V时，导通电阻为19mΩ。门源极阈值电压为±1.8V。采用SOP8封装，适用于高性能电源和功率管理应用。

**应用简介：**  
FDS4885C-NL-VB广泛应用于要求N+P—Channel沟道MOSFET的电路中。其适用于需要正向和反向电流的应用场景，并在高性能功率控制中表现卓越。

**适用领域和模块举例：**
1. **电池管理系统：** 由于FDS4885C-NL-VB的双沟道特性，适用于电池管理系统，可实现正向和反向电流的高效控制。
2. **直流-直流转换器：** 在直流-直流转换器中，FDS4885C-NL-VB可用于高效的功率开关，确保电能传输的稳定性。
3. **太阳能逆变器：** 由于其±40V的最大耐压，适用于太阳能逆变器中，提供可靠的功率控制。

**注意：** 在使用前，请详细阅读产品手册和规格书，确保在规定的电气和温度条件下使用。