CES2320-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

**VBsemi VB1330 N-Channel MOSFET**

- **参数说明：**
  - 电压：30V
  - 电流：6.5A
  - 开态电阻 (RDS(ON))：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压 (Vth)：1.2~2.2V

- **封装：** SOT23

- **应用简介：**
  - VB1330是一款N-Channel沟道MOSFET，适用于多种应用领域。
  - 其低开态电阻和高电流特性使其在高性能电路中表现出色。

- **应用领域：**
  1. **电源模块：** 由于其低开态电阻和高电流能力，VB1330可用于电源开关模块，提高功率转换效率。
  2. **驱动电路：** 在驱动电路中，VB1330可用于控制信号，实现快速且可靠的开关操作。
  3. **电流控制模块：** 适用于需要精准电流控制的电路，如电机控制和电流稳定器。

该MOSFET适用于各种需要高性能开关和电流控制的电子领域，为电路设计提供了灵活性和可靠性。