BSS84(Z)-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**BSS84(Z)-VB Transistor**

- **丝印（Silkscreen）:** VB264K
- **品牌（Brand）:** VBsemi
- **参数（Parameters）:**
  - 封装类型（Package Type）: SOT23
  - 沟道类型（Channel Type）: P—Channel
  - 最大承受电压（Maximum VDS）: -60V
  - 最大漏极电流（Maximum ID）: -0.5A
  - RDS(ON)：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压（Threshold Voltage）: -1.87V

- **封装（Package）:** SOT23

**详细参数说明和应用简介：**

该BSS84(Z)-VB晶体管采用SOT23封装，是一款P—Channel沟道MOSFET。其最大承受电压为-60V，最大漏极电流为-0.5A。在VGS=10V和VGS=20V时，RDS(ON)分别为3000mΩ，阈值电压为-1.87V。

**应用领域和示例：**

1. **电源管理模块：** 由于BSS84(Z)-VB具有较高的承受电压和适度的漏极电流，适合用于电源管理模块，如稳压器和开关电源。

2. **信号放大器：** 在需要P—Channel MOSFET进行信号放大的场景中，该晶体管可用于信号放大器模块。

3. **电流控制模块：** 由于其低阈值电压和可控制的漏极电流，可用于设计电流控制模块，如电流源或电流控制开关。

4. **电池保护：** 在需要保护电池免受过电流和过电压的损害时，可以应用于电池保护模块。

请注意，以上示例仅为参考，实际应用可能因具体设计要求而异。在设计中，请始终参考数据手册和规格说明以确保正确使用和性能。