AFP2337AS23RG-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

本文介绍了VBsemi品牌AFP2337AS23RG-VBSOT23封装的P-ChannelMOSFET,其具有-30V电压和-5.6A电流,适用于电源管理、功率放大和开关电源应用,强调了其低导通电阻和可靠开关特性。

型号: AFP2337AS23RG-VB

丝印: VB2355

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: P-Channel
- 额定电压: -30V
- 额定电流: -5.6A
- 开态电阻: RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1V

应用简介:
AFP2337AS23RG-VB是一款SOT23封装的P-Channel MOSFET,具有-30V额定电压和-5.6A额定电流。其开态电阻为47mΩ,阈值电压为-1V。该器件适用于各种电源管理、功率放大和开关电源应用。

详细参数说明:
1. **沟道类型:** P-Channel MOSFET,适用于负载开关和功率放大器。
2. **额定电压:** -30V,可用于不同电源电压的应用。
3. **额定电流:** -5.6A,适用于中等功率要求的电路。
4. **开态电阻:** RDS(ON) = 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,低导通电阻确保高效能转换。
5. **阈值电压:** Vth = -1V,提供可靠的开关特性。

应用领域:
AFP2337AS23RG-VB适用于以下领域:
1. **电源管理模块:** 用于构建高效、紧凑的电源管理模块。
2. **功率放大器:** 作为功率放大器的输出级驱动器。
3. **开关电源:** 用于构建高性能、节能的开关电源。

该器件在这些领域中能够提供可靠的性能,帮助优化电路设计并提高系统效率。

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