2SJ204-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**VBsemi 2SJ204-VB**

- **丝印：** VB264K
- **品牌：** VBsemi
- **参数：** SOT23；P—Channel沟道，-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V；Vth=-1.87V
- **封装：** SOT23

**详细参数说明：**
- **型号：** 2SJ204-VB
- **封装类型：** SOT23
- **沟道类型：** P—Channel
- **最大电压：** -60V
- **最大电流：** -0.5A
- **开态电阻：** RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压：** Vth=-1.87V

**应用简介：**
VBsemi的2SJ204-VB适用于SOT23封装，属于P—Channel沟道的场效应晶体管。其主要特点包括最大-60V的电压承受能力，-0.5A的最大电流，以及在不同门源电压下的开态电阻。

**适用领域和模块举例：**
1. **电源管理模块：** 由于2SJ204-VB具有负载调整的能力，可用于电源管理模块，帮助调整电路的输出电压。
2. **放大器电路：** 在放大器电路中，该场效应晶体管可用于信号放大和电流控制。
3. **电池保护模块：** 由于其较高的电压承受能力，适用于电池保护模块，确保电池充电和放电时的安全性。

这些举例说明了2SJ204-VB在不同电子领域的应用，特别是在需要P—Channel沟道场效应晶体管的电路设计中起到关键作用。