2312N-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2312N-VB

- 丝印: VB1240
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23

**参数:**
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 20V
- 额定电流: 6A
- RDS(ON): 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压 (Vth): 0.45~1V

**封装:**
- SOT23

**详细参数说明:**
2312N-VB是VBsemi生产的N-Channel沟道类型场效应晶体管，采用SOT23封装。其额定电压为20V，额定电流为6A，具有低导通电阻（RDS(ON)）为24mΩ @ VGS=4.5V和VGS=8V。阈值电压（Vth）在范围0.45~1V之间。

**应用简介:**
2312N-VB适用于多种电子设备和模块，主要用于需要N-Channel沟道类型场效应晶体管的应用场景。其常见应用包括但不限于：
1. **电源模块:** 在电源开关和稳压模块中，提供高效能量转换。
2. **电机驱动:** 作为电机驱动模块的关键组件，实现可靠的功率控制。
3. **DC-DC转换器:** 用于直流-直流转换，实现不同电压水平之间的高效能量转换。

2312N-VB的性能和特性使其成为各种电子产品设计中理想的选择。