6402-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 6402-VB

丝印: VB2290

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: P-Channel
- 额定电压: -20V
- 额定电流: -4A
- 开通电阻: RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压: Vth = -0.81V

封装: SOT23

详细参数说明和应用简介:

该器件采用SOT23封装，属于P-Channel沟道类型，具有-20V的额定电压和-4A的额定电流。在VGS为4.5V和VGS为12V时，其开通电阻为57mΩ，阈值电压为-0.81V。适用于各种电源管理和开关电路的设计。

**应用简介:**

1. **电源管理模块:**
   由于器件具有P-Channel沟道特性，适用于电源管理模块中的负载开关和逆变器电路。其低开通电阻有助于提高效率。

2. **电流控制模块:**
   在需要P-Channel MOSFET进行电流控制的应用中，例如电流源、电流限制器等模块。

3. **电池保护模块:**
   由于其低阈值电压和低开通电阻，可用于电池保护电路，实现对电池的精确控制。

4. **开关电源模块:**
   适用于开关电源中的负载开关，有助于提高开关电源的效能和性能。

5. **信号开关模块:**
   在需要P-Channel沟道进行信号开关的电路中，例如模拟开关、信号选择器等模块。

通过该器件的多功能特性，可广泛应用于电源管理、电流控制、电池保护、开关电源以及信号开关等领域，为各种模块提供高性能和可靠性的解决方案。