IRF9520NPBF-VB一款P沟道TO220封装MOSFET应用分析

本文介绍了IRF9520NPBF-VB这款P沟道场效应晶体管的详细参数,包括VBM2102M丝印、TO220封装、-100V额定电压和-1.6V阈值电压等。文章还重点讲解了其在中高功率开关和电源控制模块中的应用以及使用时的注意事项。

**IRF9520NPBF-VB 详细参数说明和应用简介:**

- **参数:**
  - 丝印:VBM2102M
  - 品牌:VBsemi
  - 封装:TO220
  - 类型:P—Channel沟道
  - 额定电压:-100V
  - 额定电流:-18A
  - RDS(ON):167mΩ @ VGS=10V, 20V
  - 阈值电压:-1.6V

- **应用简介:**
  - IRF9520NPBF-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET),适用于中高功率开关和电源控制。

- **应用领域:**
  - 中高功率开关模块
  - 电源控制模块

- **作用:**
  - 在中高功率开关模块中,用于控制电路的导通和切断,适用于中高功率设备。
  - 在电源控制模块中,用于实现电源的开关和调节,适用于中大功率电子设备。

- **使用注意事项:**
  - 丝印VBM2102M对应IRF9520NPBF-VB,确保正确识别。
  - 在规定的电压和电流范围内使用,以防损坏设备。
  - 遵循制造商提供的电路设计和应用建议。

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