IPP048N04NG-VB一种N沟道TO220封装MOS管

型号: IPP048N04NG-VB

丝印: VBM1405

品牌: VBsemi

参数:

- 封装: TO220
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压(V): 40V
- 额定电流(A): 110A
- 开态电阻(RDS(ON)): 6mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 2V

封装: TO220

重新生成的详细参数说明和应用简介:

IPP048N04NG-VB是一款N—Channel沟道MOSFET，采用TO220封装。其主要参数包括40V的额定电压，110A的额定电流，以及在不同门源电压下的开态电阻。

**详细参数说明:**

1. **额定电压(V):** 40V - 这表示器件能够在40V的电压下正常工作。

2. **额定电流(A):** 110A - 这表示器件可以承受的最大电流为110安培。

3. **开态电阻(RDS(ON)):** 6mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 这表示在不同的门源电压下，器件的导通状态时的电阻。在这个例子中，当门源电压为10V或20V时，开态电阻为6毫欧姆。

4. **阈值电压(Vth):** 2V - 这是器件的阈值电压，即MOSFET开始导通的门源电压。

**应用简介:**

IPP048N04NG-VB适用于多种领域的电源和开关电路，具体包括但不限于：

1. **电源开关:** 适用于电源开关电路，例如直流-直流（DC-DC）变换器。

2. **电机驱动:** 由于其高额定电流，可用于电机驱动电路，如电动汽车控制。

3. **电源模块:** 适用于设计高功率电源模块，提供高效的电源解决方案。

4. **电动工具:** 在大功率电动工具中，如电动锤、电动锯等。

5. **电源管理:** 用于需要高电流和低开态电阻的电源管理应用。

总的来说，IPP048N04NG-VB是一款高功率N—Channel MOSFET，适用于需要高电流和低开态电阻的各种电源和开关电路应用，特别在需要中等额定电压和高功率的场合，如电源开关、电机驱动、电源模块、电动工具和电源管理等领域。