2SJ182S-VB一种P沟道TO252封装MOS管

型号: 2SJ182S-VB

丝印: VBE2610N

品牌: VBsemi

参数:

- 封装: TO252
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压(V): -60V
- 额定电流(A): -38A
- 开态电阻(RDS(ON)): 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1.3V

封装: TO252

重新生成的详细参数说明和应用简介:

2SJ182S-VB是一款P—Channel沟道MOSFET，采用TO252封装。其主要参数包括-60V的额定电压，-38A的额定电流，以及在不同门源电压下的开态电阻。

**详细参数说明:**

1. **额定电压(V):** -60V - 这表示器件能够在-60V的电压下正常工作。这是一个P—Channel MOSFET，所以其额定电压为负值。

2. **额定电流(A):** -38A - 这表示器件可以承受的最大电流为-38安培。

3. **开态电阻(RDS(ON)):** 61mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 这表示在不同的门源电压下，器件的导通状态时的电阻。在这个例子中，当门源电压为10V或20V时，开态电阻为61毫欧姆。

4. **阈值电压(Vth):** -1.3V - 这是器件的阈值电压，即MOSFET开始导通的门源电压。

**应用简介:**

2SJ182S-VB适用于多种领域的电源和开关电路，具体包括但不限于：

1. **音频放大器:** 由于其P—Channel沟道特性，适用于音频放大器电路中。

2. **电源开关:** 用于电源开关电路，例如直流-直流（DC-DC）变换器。

3. **电池管理:** 可用于便携设备和电池供电系统，有效控制电流和电压。

4. **音频放大器:** 由于其低开态电阻，适用于需要高电流和低失真的音频放大器。

总的来说，2SJ182S-VB是一款中功率P—Channel MOSFET，适用于需要中等电流和低开态电阻的各种电源和开关电路应用，特别在需要较低额定电压和中功率的场合，如音频放大器、电源管理、电池管理等领域。