GT4953-VB一种2个P沟道SOP8封装MOS管

GT4953-VB是一款高性能的2P沟道FET,具有高电流处理能力和低导通电阻。它适用于电源开关、电池保护、信号开关和电源管理等领域,SOP8封装便于集成到各种电路设计中。

型号:GT4953-VB
丝印:VBA4338
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:2个P沟道
- 额定电压:-30V
- 额定电流:-7A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):-1.5V
- 封装类型:SOP8

应用简介:
GT4953-VB是一款双P沟道场效应晶体管(FET),适用于多种电子应用。它的主要特点包括高额定电流和低导通电阻,以及SOP8封装,适用于各种电路设计。

应用领域:
1. 电源开关模块:GT4953-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器、DC-DC转换器和电池管理系统,以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. 电池保护:在电池供电系统、充电设备和便携式电子设备中,这款晶体管可用于电池保护和电池充电/放电控制。

3. 信号开关:在音频和射频(RF)应用中,GT4953-VB可用于信号开关和放大。

4. 电源管理:在各种电子设备中,这款双P沟道场效应晶体管可用于电源管理、电路保护和电压控制。

总之,GT4953-VB是一款多功能的双P沟道场效应晶体管,适用于多种领域,包括电源管理、电池保护、信号开关和电路保护等应用。其SOP8封装使其适用于各种电路设计。

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