2626GY-VB一种N+N-Channel沟道SOT23-6封装MOS管

### 一、2626GY-VB 产品简介

2626GY-VB 是一款双N+N沟道MOSFET，封装形式为SOT23-6，采用了Trench技术，具有较低的漏源极电压（20V）和适中的电流（6A）处理能力。该器件在2.5V和4.5V栅极驱动电压下分别具有28mΩ和22mΩ的导通电阻，适用于低功率、低电压的应用场合，如电池管理、移动设备等，具有低导通电阻和高效能量转换的特点。

### 二、2626GY-VB 详细参数说明

- **封装形式**：SOT23-6
- **配置**：双N+N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：20V
- **栅源极电压 (VGS)**：±12V
- **阈值电压 (Vth)**：0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：28mΩ @VGS = 2.5V, 22mΩ @VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**：6A
- **技术**：Trench

### 三、2626GY-VB 应用领域和模块举例

1. **电池管理**：
   - **应用说明**：2626GY-VB 可以用于低功率、低电压的电池管理系统，提供低导通电阻和高效能量转换。
   - **实例**：适用于便携式设备、智能手表等的电池管理模块。

2. **移动设备**：
   - **应用说明**：在移动设备中，2626GY-VB 可以提供稳定的电流输出和高效能量转换，延长电池续航时间。
   - **实例**：适用于智能手机、平板电脑等移动设备的电源管理模块。

3. **LED驱动**：
   - **应用说明**：2626GY-VB 可以用作LED驱动器件，提供稳定的电流输出和高效的能量转换。
   - **实例**：适用于小功率LED灯具、指示灯等的驱动模块。

这些应用示例展示了2626GY-VB 在低功率、低电压应用中的广泛适用性和优越性能，能够满足多种电池管理、移动设备和LED驱动等领域的需求。