AP2532GY-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**

AP2532GY-VB 是 VBsemi 品牌的一款 N+P-Channel 沟道 MOSFET，具有两个 N-Channel 和一个 P-Channel 的沟道。其特殊的结构设计使其适用于双极性电源管理和开关电路设计。采用 SOT23-6 封装，具有小型化、低成本的特点，适用于各种空间受限的应用场景。

**详细参数说明：**

1. 工作电压（VDS）：±20V
2. 典型电流（ID）：N-Channel 7A / P-Channel -4.5A
3. 开通电阻（RDS(ON)）：N-Channel 20mΩ @ VGS=4.5V / P-Channel 70mΩ @ VGS=4.5V
4. 阈值电压（Vth）：N-Channel 0.71V / P-Channel -0.81V
5. 封装：SOT23-6

**产品适用领域和模块举例：**

1. 双极性电源管理：AP2532GY-VB 可以应用于需要同时控制正负电压的电源管理模块，如电池充放电管理和双极性 DC-DC 变换器。
2. 电流控制器：在需要对正负电流进行控制的电路中，该器件可以作为电流控制器，如电流源和双极性电流调节器。
3. 双极性开关电路：在需要控制正负电压的开关电路中，AP2532GY-VB 可以实现双极性开关操作，如双极性开关转换器和双极性功率开关。
4. 双极性电流测量：在需要同时测量正负电流的电路中，该器件可以用作双极性电流传感器，如电流测量模块和双极性电流表。

综上所述，AP2532GY-VB 适用于需要双极性电源管理和控制的各种领域和模块，包括但不限于双极性电源管理、电流控制、双极性开关电路和双极性电流测量等应用场景。