用系统的角度分析MOS管震荡

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这篇博客从系统角度深入探讨了MOS管产生震荡的原因，通过计算和MATLAB仿真实验，展示了不同电压上升对震荡的影响，但并未详细解释具体机制。

网上找到的一个帖子，用系统的角度分析MOS管产生震荡的原因，原文如下

======================以下是我自己的计算==============================

最低0.47元/天 解锁文章
反激式电源为什么上电最容易烧MOS管？
D_Katter的博客
08-04 1163
变压器存在漏感，这部分漏感不会和磁芯产生耦合。在VDS电压上升初期，VC的电压等于Vbus，此时二极管一直是关断的，但是当副边二极管开通后，反射到原边的电压Vor和漏感的电压Vk会使VDS的电压超过Vbus，注意，电容Vc的电压是叠加在Vbus上，也就是VC在超过后该电压后，二极管才开通。根据上述的波形可知，RCD的电阻最大值出现在VDS的最大值，此时因为RCD吸收电路的C几乎充满了，已经无法再继续充电了，因此VDS的尖峰电压其实只是在前面的周期中被有效吸收，而在后续周期内，RCD吸收效果大打折扣。
硬件工程师-MOS管
su165108515的博客
05-19 7294
硬件工程师-MOS管
Mosfet开关过程中的震荡问题
honeyball的博客
04-10 4269
通过应用端分析，导致栅极振荡是电源在动态负载切换时，MOSFET存在较大的电流应力且电流变化较快。因此，导线和其他杂散电感（栅极，源极和漏极电路之间以及相关互连中的电感）可能会形成正反馈电路，从而导致寄生振荡。MOSFET作为栅极电压控制器件，栅源极驱动电压的振荡会极大的影响器件和电源转换器的可靠性，实际应用中严重的栅极振荡还可能会引起器件或电路异常失效。关断期间，漏极和源极之间的振铃电压可能返回到栅极，通过栅极-漏极电容Cgd的正反馈环路连接到栅极端，并导致栅极电压振荡。ζ由0约接近1，收敛越快。
释疑：反激电源MOS管两次振铃现象
硬件大熊
05-24 1万+
本周在技术交流群中有群友抛出这么一个问题：反激电源MOS D-S之间电压波形产生的原因？这是一个典型的问题，本质原因就是功率级寄生电容、电感引起的谐振，然而几天后我发现，当时我并没有充分理...
MOS管LC震荡电路
TSINGHUAJOKING
09-05 538
本文测试了基于NMOS管的电容三点式振荡电路，通过实际搭建和调试电路板，观察了不同参数下的振荡特性。实验中使用单面PCB快速制板，调整电感、电容和电阻参数后，在12V工作电压下获得690kHz的正弦振荡波形。随着电压升至24V，波形幅度增大但出现失真。通过修改电容值可调节振荡频率和幅值。该电路可作为等离子环驱动电路，后续将结合仿真进一步验证信号特性。相关技术细节可参考MOS管电容特性、高压NMOS管选型及等离子驱动电路仿真等文献。
场效应管(MOSFET)笔记-nmos和pmos仿真测试
weixin_46158019的博客
11-16 2052
一、场效应管的介绍场效应管是一种半导体器件，它可以用来放大或者控制电流。根据结构的不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。其中，JFET是由一个pn结构组成，而MOSFET则是由一个绝缘栅和源漏极组成。MOSFET又可以分为增强型和耗尽型两种类型。与晶体管相比，场效应管具有输入电阻高、噪声小、体积小等优点，因此在电子电路中得到了广泛的应用。二、用途以...
引脚驱动mos时管出现波形振荡的原因及一种抑制方法
Aa2501085934的博客
05-16 1万+
引脚驱动mos时管出现波形振荡的原因及一种抑制方法
MOSFET栅极驱动产生振荡的原因及如何解决
学海无涯的专栏
01-31 1万+
由于MOSFET通常工作在几十kHz的开关状态，其充放电电流由栅源极电容和驱动电压决定，若驱动电阻选的很大，使得电路损耗过大，不利于驱动电路的安全运行，因此要综合考虑电阻、电容的取值。而MOSFET的关断时间与开通时间存在着一定的矛盾，若单纯增大开通时间，必然也增大了关断时间，而从减小死区时间角度，希望关断时间短一些，因此考虑调整MOSFET的开通和关断时间；，在开通时为减小dv/dt的应力，增加栅极的充电时间，而关断时间应短一些，以使用较短的死区时间减小输出波形的谐波含量，电路如图3所示。
高精度过流保护系统构建：MOS管+电流检测协同设计的4个关键技术
高精度过流保护系统的基本原理与架构设计 ## 过流保护的核心目标与系统级挑战 高精度过流保护系统的核心在于实现**快速、准确、可重复**的故障识别与响应。其基本原理是通过实时监测电路中的电流变化，结合预设的...
MOS管防反接经典案例剖析（5种拓扑结构+失效场景还原）
在电源系统设计中，MOS管防反接技术因其高效、低损耗的特性，已成为替代传统二极管防反接的主流方案。相比普通二极管0.7V以上的导通压降，MOSFET可通过控制栅极电压实现毫欧级导通电阻（RDS(on)），显著降低功耗与温...
功率MOS管栅极电压震荡
TSINGHUAJOKING
05-12 1776
在两个MOS的栅极， 增加一个 75欧姆的电阻，  测量一下， 对应的栅极的电压波形。在这里出现了比较奇怪的情况， 也就下管前面有了比较明显的一个延迟， 这个延迟并不是有单片机的信号延迟引起的。昨天晚上测试功率MOS管半桥电路的过程中，  同时测量两路MOS管的栅极电压时，  发现它们在上升沿和下降沿出现高频震荡。将上下桥臂的死区设定为 33ns， 可以看到上下导通的过程中就非常平稳，  没有更多的震荡。此时， 需要增加 30ns 的死区， 根据所使用的 MOS 管设定死区的大小。
一个比较经典的MOS管驱动电路
01-30
一个比较经典的MOS管驱动电路 一个比较经典的MOS管驱动电路 一个比较经典的MOS管驱动电路 一个比较经典的MOS管驱动电路 一个比较经典的MOS管驱动电路 一个比较经典的MOS管驱动电路
【转】MOS管应用概述(二):米勒振荡
qq_42863248的博客
11-20 1万+
上一节讲了MOS管的等效模型，引出了米勒振荡，可以这么讲，在电源设计中，米勒振荡是一个很核心的一环，尤其是超过100KHz以上的频率，而作者是做超高频感应加热电源的，工作频率在500K~1MHz范围，功率大于5KW，拓扑结构是LLC电路，H桥输出，此外为了实现功率线性可调节，采用40Hz PWM调制，可以理解为H桥以25mS为周期，不停的开始，关闭，而因为感应加热设备的负载是并联LC谐振环，这样每...
mos管震荡2
STM32F103_2018的博客
08-11 2952
根据对引线电感的估算，由datasheet得到的MOS的 DS电容，参数如下   L1=0.0000000045;        %单位H L2=0.0000000075; C1=0.00047;         %单位F R1=0.01;                   %单位欧母 num=[1 R1/L2 1/(L2*C1)]; den=[1 R1/(L1+L2) 1/(L1*C1+...
使用NMOS 晶体管组成的多谐振荡电路
TSINGHUAJOKING
09-22 1332
漏极电压波形呈现方波形态， 栅极电压则是上下锯齿波动，   对比普通晶体多谐振荡电路波形， 栅极电压信号相差比较大。这是一个NMOS晶体管，   通过外围电阻， 可以形成一个反相放大电路。将两个这样的反相放大电路， 通过电容 耦合在一起，  这样， 电路就形成了 一个对称多谐振荡器。这个电路与由普通双极性晶体管所组成的多谐振荡器的基本原理是相同的。文测试了使用两级 N 沟道 MOS 管组成的对称多谐振荡电路， 改电路可以震荡， 相比于传统的三极管，  电路中栅极电压波形呈现上下波动的锯齿波形。
MOS管振铃现象
Yf18005429102的博客
12-16 3768
用MOS管作为电子开关电路如下单片机输出的PWM波形应该是规整的方波信号。但实际上确出现了下图的不稳定波形。这种上升沿和下降沿出现的不同程度的一小段震荡就叫做MOS管的振铃。如果振铃的峰值超过G端耐压，GS之间就会被击穿，MOS管就会坏掉。要判断振铃峰值是否会击穿MOS管，需要查看下图所示手册内容中的VGS下图所示型号的MOS管G与S之间最大电压为20V，超过这个电压就容易造成MOS管损坏。
mos管栅极震荡的一个对比试验
幻蜗的笔记
04-11 3561
测试频率2.4m， 板子上栅极电容C电感L未测量，但效果还是很明显的 这个震荡是栅极电阻小于导致的rlc震荡，只要栅极电阻大于等于该值就可以消除震荡，电阻太大也会影响最大输出频率 ...
MOS管开关电路详解
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madmanazo的博客
04-20 2万+
MOS管主要是由Metal（金属）、Oxide（氧化物）、Semiconductor（半导体）通过特殊工艺制成 和三极管（电流控制电流型器件）相比，MOS管（电压控制电流型器件）具有栅极驱动基本不需要电流，损耗小、噪声低、抗辐射能力强、输入阻抗高、结构简单、便于集成和热稳定性好等优点 MOSFET可以被制造成P沟道和N沟道两大类，每一类又分为增强型或者耗尽型，所以MOSFET有四种：N沟道增强型MOSFET、N沟道耗尽型MOSFET、P沟道增强型MOSFET、P沟道耗尽型MOSFET
解析MOS管的GS波形振荡是如何消除
树卡花
01-18 4962
对于电源工程师来说，很多时候都在看波形，比如看输入波形、MOS开关波形、电流波形、输出二极管波形、芯片波形、MOS管的GS波形…… 接下来，聊一下GS波形。 我们测试MOS管GS波形时，有时会看到图1这种波形，在芯片输出端是非常好的方波输出，可一旦到了MOS管的G极就出问题了——有振荡。这个振荡小的时候还能勉强过关，但有时候振荡特别大，看着都令人担心会不会重启。 那么，这个波形中的振荡是怎么回事？有没有办法消除呢？ 下面，让我们一起来看看： 在图2中，IC出来的波形正常，到C1两端的波形就有振荡了。实际
mos管消除米勒震荡
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10-16
MOS管米勒振荡是在MOS管开关过程中，由于米勒电容的存在而产生的振荡现象，会影响电路的稳定性和性能。以下是一些消除MOS管米勒振荡的方法： ### 优化驱动电路 - **增加栅极电阻**：在MOS管的栅极串联一个适当阻值...
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