射频氮化镓晶圆厂工艺能力RF GaN HEMT Foundry Update

最新推荐文章于 2025-12-15 14:50:45 发布
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#生成对抗网络 #人工智能 #神经网络

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全球GaN产业图谱

1.RF GaN on SiC 优势

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如上表所示，SiC基GaN相较于传统的Si基CMOS LDMOS和GaAs具备更宽的禁带以及更高的电子饱和速度，同时SiC衬底材料具备遥遥领先的热导率，这些都使得GaN HEMT技术在高压高功率的射频应用中更有优势。

2.RF GaN Foundry Performance Summary

以下是根据网上公开发布的信息，总结出的目前RF GaN工艺节点及主要性能（如有侵权请联系删除）。

A. Qorvo（US）

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B. Wolfspeed(Acquired by MACOM,US)

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C. MACOM(Nitronix/wolfspeed,US)

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D. Win Semi(Taiwan Province)

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E. Dynax/Itrisemi(China)

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F. Sanan(China)

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G. UMS（United Monolithic Semiconductors,FRA）

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H. GCS(环宇通信半导体,US)

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1997年成立于美国加利福尼亚州，环宇通讯半导体有限责任公司，是经过ISO认证的全球首要提供（III-V族）化合物半导体（砷化镓、磷化铟、氮化镓）纯专业晶圆制造服务，以制造技术领先，高性能、高质量导体元件的厂商。所制造的组合产品包括用于无线通讯市场的射频积体电路（RFIC）和毫米波积体电路，用于功率电子市场的功率元件，和用于光纤通光纤信讯的光电探测器和激光器。

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I.Fraunhofer(IAF, GER)

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【氮化镓】集成ESD提高GaN HEMT稳定性
荷塘阅色
01-19 579
这项工作提出了一种与GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)单片集成的栅极静电放电(ESD)保护电路。除了增强栅极对ESD事件的鲁棒性外，该多功能电路还提高了功率HEMT正常开关操作时导通电阻(RON)和阈值电压(VTH)的稳定性。这种改进是通过将HEMT的负栅极偏压(VG)钳位在关断状态来实现的，这是功率p栅极GaNHEMT中RON和VTH不稳定的关键原因。部署了一个电路装置，用于现场监控动态RON及其从第一个开关周期到稳态的演变。
【氮化镓】缓冲层结构对GaN HEMT射频性能的影响
荷塘阅色
04-05 1839
本研究探讨了不同缓冲层结构对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）射频性能的影响。通过对比三种不同缓冲层结构的GaN HEMT设备，研究了缓冲层质量和陷阱效应对射频增益的影响。实验采用了详细的直流和脉冲IV测量，以及温度依赖的低频S参数测量，来评估缓冲层陷阱的激活能。研究结果表明，低掺杂碳（C）的缓冲层显示出更好的射频性能，并且较薄的缓冲层结构能够减少陷阱的影响，从而提高设备性能。
一文看懂什么是GaN HEMT以及其工艺流程（氮化镓高电子迁移率晶体管）
09-05 591
GaN HEMT功率半导体工艺流程摘要：该工艺从GaN外延层形成开始，通过离子注入、选择性刻蚀构建栅极结构，重点控制浅加工和低损伤；随后依次形成SiN栅绝缘膜、栅电极和源漏电极；后期涉及基板贴合研磨、背面Via刻蚀、种子金属层沉积及电镀等步骤。关键技术包括N+离子注入、AlGaN选择性刻蚀、Liftoff栅极成型和Ti/Al电极加工，整个流程注重低损伤处理和高精度控制，以满足大功率高频器件的性能要求。
【氮化镓】低剂量率对GaN HEMT栅极漏电的影响
荷塘阅色
05-20 487
探讨了低剂量率辐照下基于GaN的p型栅高电子迁移率晶体管（HEMTs）的栅漏退化机制。研究通过60Co γ射线源对p-GaN HEMTs进行辐照，结合实验分析和TCAD仿真，发现负向阈值电压变化及栅漏电流增加主要由于p-GaN/AlGaN界面附近供体类陷阱的形成，这些陷阱由辐照过程中的去氢化作用引发。TCAD仿真进一步指出，陷阱辅助隧穿（TAT）过程是栅漏电流增加的主要机制。该研究为理解低剂量率辐照环境下p-GaN栅HEMTs的辐射诱导陷阱对电学参数退化的作用提供了重要理论支持。
【氮化镓】低温对p-GaN HEMT迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅的影响
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10-15 777
实验结果表明，p-GaN HEMT在低温下展现出了优异的电气特性，包括低亚阈值摆幅、高ION/IOFF比和高的ID,max。这些特性使得p-GaN HEMT非常适合用于低温电子应用。此外，通过建模和拟合实验数据，研究者们能够深入理解这些特性背后的物理机制，并为未来的器件设计和优化提供了理论基础。
【氮化镓】用于低压射频电源的具有80.4% PAE的Si基E-Mode AlN/GaN HEMT
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11-19 492
本文是一篇关于增强型（E-mode）AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）的研究论文，晶体管是在硅衬底上制造的，并在3.6 GHz频率下展示了80.4%的峰值功率附加效率（PAE）。
【氮化镓】瞬态电流法提取GaN HEMT器件陷阱位置
荷塘阅色
12-05 772
通过考虑HEMTs在不同温度下的瞬态漏电流，识别了三种捕获机制：（1）在靠近二维电子气（2DEG）通道的栅极-漏极区域的AlGaN势垒层中的电荷捕获；（2）在靠近栅极的栅极-漏极区域的GaN层中的电荷捕获；以及（3）在靠近栅极的栅极-漏极区域的AlGaN层表面的电荷捕获。
【氮化镓】钝化层对p-GaN HEMT阈值电压的影响
荷塘阅色
06-03 512
该研究基于二次离子质谱（SIMS）、光致发光（PL）和X射线光电子能谱（XPS）等方法，研究了在Au-free gate-first工艺中，SiN和SiO₂两种钝化层对p-GaN/AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）阈值电压（VTH）特性的影响。
【氮化镓】开态GaN HEMTs中氧诱导Vth漂移的缺陷演化
荷塘阅色
03-10 548
2019年，中国工程物理研究院电子工程研究所的Rong Wang等人基于实验研究和第一性原理计算，研究了开启态偏置下AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）中氧诱导的阈值电压（Vth）漂移的缺陷演化机理。实验结果表明，在开启态应力作用下，T型栅AlGaN/GaN HEMT的Vth发生了明显的负向漂移，且这种漂移与GaN通道中约0.8 eV处的缺陷能级的减少密切相关。进一步的1/f噪声测量和温度依赖性实验揭示了开启态应力下GaN通道中缺陷的演化情况，表明热载流子应力导致了缺陷能级的变化。
​如何用AI处理音乐音频消除作品信息里的 AI 痕迹-程序员音乐人卓伊凡
一颗优雅草科技-央千澈的优快云博客~只想无穷无尽的学习~作息早8-晚8
12-11 1305
​如何用AI处理音乐音频消除作品信息里的 AI 痕迹-程序员音乐人卓伊凡
精品数据分享 | 锂电池数据集（七）同济大学电池数据集
12-11 1062
本期继续分享一篇Nature communicationTop论文公开锂离子电池数据，划重点-数据集开源，代码开源！！！
以太联的自愈功能与看门狗机制解析
suzhou_speeder的博客
12-15 578
看门狗(Watchdog)是一种硬件或软件实现的定时器机制，其核心功能是监控系统或程序的运行状态，防止程序跑飞或陷入死循环。案例：车载以太网交换机通过硬件看门狗实时监测链路状态，若检测到链路中断(如3ms内未收到心跳包)，立即启用备用路径，确保刹车、转向等关键系统永不掉线。案例：某智能工厂的PLC(可编程逻辑控制器)采用软件看门狗，若主程序因干扰死机，看门狗机制自动重启PLC，恢复生产流程。三者协同工作，实现“设备-交换机-网络”三级自愈，显著提升网络可靠性、降低运维成本，并为企业数字化转型提供坚实基础。
AIDD-人工智能药物设计-扩散模型热力学：从 AI 提取物理能量
itwangyang520的博客
12-14 742
扩散模型的核心是加噪与去噪。这对业界的启示是，要实现精准医疗，特别是针对耐药突变的药物设计，不能仅依赖大语言模型（Large Language Model, LLM）处理序列。他们从文献和数据库中挖掘了过去被忽略的细节：氨基酸的替换、插入、缺失，以及关键的磷酸化修饰，最终整理出 4032 对新的激酶 - 配体数据。GeneGPT 曾展示了大语言模型（LLM）在生物医药领域的潜力，而 OpenBioLLM 提出了不同于 GeneGPT 单体（Monolithic）架构的方案：组建由「专家」构成的团队。
vLLM推理引擎教程4-离线推理功能
benben044的专栏
12-12 862
本文介绍了使用vLLM框架优化推理性能的多种方法。主要内容包括：1）基础文本生成、对话式推理、文本分类和嵌入提取四种任务的基本实现；2）自动前缀缓存功能，通过共享KV缓存加速长上下文处理；3）使用YARN方法扩展模型上下文长度；4）多模态任务处理示例（Whisper语音识别）；5）底层LLMEngine API的使用。文章通过具体代码示例展示了如何设置参数实现各类推理优化，包括温度调节、top-p采样、缓存复用等技巧，适用于文本生成、分类、嵌入等多种NLP任务场景。
观成科技:Zloader木马家族加密流量分析
GCKJ_0824的博客
12-12 650
摘要：Zloader木马最初作为银行木马Zeus的下载器，现被广泛用于勒索软件投递。其采用多种加密通信技术规避检测：1）DGA技术生成随机域名；2）DNS隧道隐藏数据；3）HTTPS加密通信；4）Websocket掩码加密。最新版本通过会话密钥强化DNS隧道加密。观成科技利用AI模型结合TLS指纹检测HTTPS加密流量，持续通过行为分析和机器学习应对加密威胁。研究表明，恶意软件正不断升级流量对抗技术，凸显加密流量检测的重要性。（149字）
nl2sql技术实现自动sql生成之Spring AI Alibaba Nl2sql
最新发布
疾风sxp的博客
12-15 492
上一节我们在介绍了自然语言转sql的基本思路，今天我们通过实操来解决这一技术实现，通过Spring AI Alibaba开源的nl2sql框架进行这块技术的讲解。
“人工智能 +” 创新大会签约落定，云工场科技与沐曦、中国移动等企业携算力服务助力潍坊转型发展
Cloudcsp的博客
12-12 462
大会紧密围绕贯彻落实党的二十届四中全会精神，旨在纵深推进“人工智能+”行动，促进人工智能与实体经济深度融合，为培育和发展新质生产力注入强大 AI 动能。，共同推进智能算力供给与行业应用落地。聚焦于行业大模型落地应用、高效智能算力供给、以及“人工智能+”模式创新等多个关键方向，携手构建开放、协同、共赢的 AI 产业生态。在大会签约环节，昌邑市、安丘市、寒亭区、潍城区等政府单位围绕人工智能+治理分别推进相关合作布局；等核心能力，协同产业伙伴共同服务潍坊“人工智能+”行动，助力区域新质生产力加速培育。
基于偏最小二乘算法（PLS）的多输出数据回归预测
2508_94230129的博客
12-14 245
PLS算法可以理解为是主成分分析（PCA）和多元线性回归（MLR）的结合体。它能够在处理自变量存在多重共线性的情况下，有效地进行回归建模。在多输出数据回归场景中，PLS可以同时对多个因变量进行建模预测，挖掘自变量和多个因变量之间的潜在关系。通过以上Matlab代码，我们完成了基于PLS算法的多输出数据回归预测的基本流程，从数据准备、建模到预测。PLS算法在处理多变量、多重共线性的数据时有着独特的优势，希望大家在实际项目中可以尝试应用它，挖掘数据背后的潜在规律。
氮化镓HEMT仿真
04-25
### 关于氮化镓 HEMT 的仿真工具、方法和软件 #### 工具概述 对于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的仿真，通常需要综合考虑器件的物理特性和电路行为。常用的仿真工具有多种，可以分为基于物理学建模的工具和用于电路仿真的工具。 #### 基于物理学建模的仿真工具 这类工具主要用于分析器件内部的工作机制以及各种物理现象的影响，例如射频泄漏电流、温度依赖性等[^1]。以下是几种常见的工具： - **Silvaco TCAD**: 提供全面的半导体工艺和器件模拟功能，支持三维结构建模，能够处理复杂的异质结界面效应和高温条件下的性能变化。 - **Sentaurus Device by Synopsys**: 这是一款强大的TCAD工具，适用于复杂半导体器件的设计与优化，特别适合研究GaN基器件中的电场分布及其对可靠性的长期影响[^2]。 - **Mentor Graphics Eldo RF**: 主要针对高频应用设计而开发，可实现精确的大信号模型提取及线性失真预测，这对于评估GaN HEMTs在实际通信系统中的表现至关重要。 #### 电路级仿真平台 当关注整个系统的电气响应而非单一元件细节时，则需采用更高层次抽象度的方法来进行整体架构验证: - **Cadence Spectre / Virtuoso Analog Design Environment (ADE)**: 结合SPICE引擎提供高精度数值计算能力的同时还具备图形化的布局编辑环境方便快速迭代修改设计方案. - **ADS (Advanced Design System) from Keysight Technologies**: 它不仅限于是单纯的RF/Microwave领域专用EDA套件, 更融入了电磁求解器选项以便更深入理解天线阵列互耦关系或者封装寄生参数效应对最终产品规格达成造成潜在威胁的因素. #### 技术指导建议 为了获得最佳效果，在选择具体解决方案之前应充分了解目标应用场景的具体需求并据此权衡不同方案之间的优劣之处；另外值得注意的是无论选用哪一类软件包都离不开扎实的基础理论支撑因此加强专业知识学习同样不可或缺[^3]. ```matlab % 示例 MATLAB 脚本展示如何设置初始条件以运行简单的一维 Poisson 方程求解程序 clc; clear all; epsilon_r = 9.7; % Relative permittivity of AlGaN layer at room temperature Vg = linspace(-5,5,100); % Gate voltage sweep range for i=1:length(Vg) Vgsweep(i)=solvePoissonEquation(epsilon_r,Vg(i)); end plot(Vg,Vgsweep,'LineWidth',1.5); xlabel('Gate Voltage [V]'); ylabel('Drain Current [A]'); title('I-V Characteristics Curve'); grid on; ```
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