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原创 Doherty Power Amplifier功率放大器设计(step by step指导)
本实验系列围绕Doherty功率放大器展开系统仿真设计:Lab0进行直流和小信号S参数分析,Lab1开展大信号特性研究,Lab2重点设计Doherty合路器,Lab3和Lab4分别完成输出/输入匹配网络设计,最终在Lab5中对完整的Doherty功率放大器进行整体仿真评估。实验内容由基础到综合,逐步构建完整的Doherty放大器仿真设计流程。
2025-11-04 20:59:40
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原创 基于模型的GaN功放设计基础:本征I-V波形是啥以及有啥用?
我们之前的文章介绍了I-V曲线的基础和负载线,然而另外一种分析非线性行为的方法是考察器件的I-V波形,就是说,考察时域内电压和电流的曲线,如图1所示,显示了一个2GHz的射频输入信号。f. J类:J类是一个连续的操作类别,可以通过操作基波阻抗,使其增加一个电抗成分、谐波阻抗也是一个电抗,合理的控制。a. 图1左边的图显示的是一个偏置在Vds=48V和Vgs=‑2.5V的AB类功放的I-V电流和电压的。的穿越的轨迹,轨迹对应的是输入的射频交流信号在最小值和最大值之间的来回摆动。和谐波的阻抗可以实现J类操作。
2025-10-17 22:36:02
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原创 基于CGH40010F的寄生网络提取及PA Class分析 - Part II
随着一个3pF接地电容(对GaN HEMT来说一般是由于Die layout 寄生的Cds和drian对地的寄生电容)和一个2nH的串联电感(一般是drain layout 走线电感、bondwire和lead电感组成),理想电流源处的plane A转变到了plane B(封装后的管脚位置),由于寄生的电容电感导致的色散效应,不同的频率对应的Ropt不再重合。对于一个射频功率管来说,可以将其看做是由一个理想压控电流源和电抗网络组成,该电抗网络一般是由于芯片版图Die和Package的寄生形成的。
2025-10-17 22:31:05
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原创 基于CGH40010F的寄生网络提取及PA Class分析 - Part I
学术界和网络上流传的一般使用的是一个通用的网络,见下图,其中Cds=1.22pF,Lbond=0.55nH,Lpad1=0.1nH,Lpad2=0.1nH,Cpad1=0.25pF,Cpad1=0.25pF。以上数值比较接近CGH40010F 官方Datasheet给出的参数,不过官方给的性能一般是未调谐谐波的典型值,在实际设计时,能够得到的单频点性能肯定要优于官方DataSheet提供的值。b.最佳功率、效率对应的基波阻抗也就是功率等高圆和效率等高圆的圆心应该落在实轴。2.本文提出的精准漏极寄生网络。
2025-10-17 22:30:10
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原创 射频氮化镓晶圆厂工艺能力RF GaN HEMT Foundry Update
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2025-10-16 21:16:53
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原创 Qorvo TGF2023-2-xx 系列GaN HEMT裸管芯 - 分立射频氮化镓晶体管芯片版图赏析
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2025-10-16 21:14:42
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原创 使用Ansys HFSS精准仿真射频前端芯片模组LDMOS/GaN/GaAs/IPD PA FEM Laminate Module
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2025-10-16 21:10:37
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原创 WolfSpeed RF Transistor Die Analysis(CGH60030D)射频氮化镓功率管芯片设计解析
射频氮化镓功率管芯片设计解析
2025-10-16 20:55:46
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【高频电路设计】射频功率放大器的稳定性分析方法,基于keysight ADS WS-Probe阻抗探测的稳定性分析:多技术融合的射频功放振荡根因诊断与优化
2025-10-16
半导体器件结温评估方法研究:基于热表征参数Ψ的精确建模与PCB热设计优化
2025-10-16
电磁仿真基于ADS与Momentum的变压器参数提取方法:耦合电感L1/L2/M/K及Q值高频建模技术
2025-10-16
【射频功率放大器】基于开关模式的Class-E高效放大器设计:优化方程与实验验证
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【微波器件设计】基于3D建模的谐振腔耦合结构分析:多方案自动化建模与参数化设计系统
2025-10-16
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