手把手教你学Simulink--基于新型电力电子拓扑与宽禁带器件的电网系统场景实例:GaN HEMT器件在高频逆变器中的开关特性建模

目录

一、背景介绍

二、系统架构设计

三、建模过程详解

第一步:创建高频逆变器模型

1. 主电路拓扑

第二步:GaN HEMT器件建模

1. 选择器件模型

2. 关键参数设置(以EPC2045为例)

第三步:设计GaN专用驱动电路

1. 驱动要求

2. 在 Simulink 中实现驱动

3. 驱动电路拓扑

第四步:仿真开关瞬态过程

1. 仿真配置

2. 关键测量信号

第五步:开关特性分析与建模

1. 开通过程分析

2. 关断过程分析

3. 开关损耗计算

4. 寄生导通(Parasitic Turn-on)仿真

四、结果对比与优化

1. GaN vs Si MOSFET(对比仿真)

2. 优化措施验证

五、总结

核心收获:

GaN的拓展应用:

优化方向:


手把手教你学Simulink--基于新型电力电子拓扑与宽禁带器件的电网系统场景实例:GaN HEMT器件在高频逆变器中的开关特性建模

——基于新型电力电子拓扑与宽禁带器件的电网系统场景实例:GaN HEMT器件在高频逆变器中的开关特性建模


一、背景介绍

新能源发电(光伏、风电)、电动汽车数据中心电源等领域,对高效率、高功率密度的电力电子变换器需求日益增长。

氮化镓(Gallium Nitride, GaN)作为第三代宽禁带半导体(WBG)材料,其高电子迁移率晶体管(HEMT, Hi

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