一分二等分功率分配器设计（ADS--＞CST）

目录

理论基础

ADS和CST仿真1分二功分器设计

指标：

具体设计---ADS

新建工程--->预先设置（包括层、全局单位设置）

原理图绘制-仿真

Layer绘制-仿真

具体设计---CST

ads导出

cst导入

问题

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理论基础

分功率器基本要求：输出功率按一定比例分配；各个输出口之间互相隔离；输入输出口必须匹配

二等分功率分配器

为了满足输入口1的无反射条件，

适当选择R和的值，从而可以使2、3口得到隔离

R的位置与接R的引线长短有关，故要调整决定，离开分支点的距离应该稍大于0.25*λg

当时，2、3口可以实现相互隔离

由于2及3两路结构上对称，故功率是平分的

分功器两平分臂之间的距离不宜过大，一般取2~3个带条宽度，50欧姆宽度

这样可以使跨接在两臂之间的隔离电阻的寄生效应尽量减小

ADS和CST仿真1分二功分器设计

1.指标：

频率：2.0-2.3GHz

S11<-10dB

隔离度<-15dB 

介质PTFE(2.65)

厚度0.762mm

2.具体设计---ADS

2.1 新建工程--->预先设置（包括层、全局单位设置）

2.2 原理图绘制-仿真

工程建立和预先设置完成后，开始原理图绘制，添加威尔金森功分器和介质基板部件和S参数部件，并根据指标完成相应参数设计

Note：威尔金森功分器在Passive Circuit DG-Microstrip Circuits中

完成上述部件的添加后，在菜单栏中选择设计向导从而自动完成威尔金森功分器电路设计

点击上图的扳手图标，实现电路自动生成

原理图仿真结果如上图所示，满足指标要求。

2.3 Layer绘制-仿真

首先，将S参数部件、介质基板部件、端口部件和威尔金森功分器里面的隔离电阻进行屏蔽

选择layout--->生成layer形式

从上图可以看出，layer层设计已经生成。但是此时标签太影响整体的视图

我们可以通过view-->layer view-->Hide Non-Sbstrate Layers对标签进行隐藏

接下来，进行电磁仿真环境设置，即EM设置

主要对介质层、端口和频率三部分进行设置

设置介质基板，采用的是PTFE(2.65)，介质上表面为微带线金属层，下表面为接地金属层

设置频段

退出em设置，添加端口，在左上角那个六边形小图标，以顺序对应编号端口

确认em设置没问题后（保证端口和微带线的层是在介质基板上层金属板上）

将该laye层世界创建为一个标识，便于后续在schematic上进行添加仿真

完成之后，我们可以在主界面查找到我们所创建的symbol

再重新建立一个原理图，按照相应步骤添加我们刚才所创建的symbol模型

对该器件进行操作，这是比较关键的一步

选中器件后，点击choose view for simulation

为该symbol设置我们之前所设置电磁仿真设置，即em设置-->emModel

★Notes：如果不设置这一步的话，后续会出现仿真错误

ERROR: (stdcmds.ael line 135, column 12)
Error generating netlist for "power_divided_lib:cell_2:schematic": Failed to create netlist:
There is no corresponding terminal for `P1' in the netlisted view `power_divided_lib:cell_1:schematic'.

解决方案：将该symbol进行choose view for simulation==>选择emModel，即可以解决问题

完成之后，添加S参数部件、介质基板部件、端口和隔离电阻，即可完成layer层原理图设计

如下图所示为仿真结果，可以满足指标

3.具体设计---CST

3.1ads导出

屏蔽掉S参数、介质基板部件、端口和隔离电阻后，生成layer层设计

然后在全选（ctrl+A）,然后融合 （shift+U）。
这样出来的图就比较平整，也方便我们往外导出DXF文件时的整洁。存储路径可以自己选择，我一般放在桌面。导出成功后会提示，导出完成。下图所示为融合完后的图

导出后，可以看到对应窗口提示导出完成

3.2cst导入

如上图所示为导出的模型，之后我们在进行介质基板绘制、端口添加、频率设置和隔离电阻添加

仿真结果，基本满足要求

4.问题

Q:ADS导出来的图形出现极其微小缝隙

A:精度问题,可以把精度设置小一点