最早的忆阻器与神经形态芯片

什么是忆阻器？

忆阻器最早是蔡绍棠教授在1971年从电路理论完备性的角度预测的一种器件。顾名思义，忆阻器就是记忆电阻的器件。理论上的忆阻器指磁通与电荷之间求导为常数的器件。这种解释方式比较麻烦，直观的使用电导-时间函数理解忆阻器的特性会好一些。

二氧化钛忆阻器到底算离子还是算相变？

惠普做的这种晶体管很简单，就是铂加二氧化钛。按照文中的说法以及后来诸多科学家的不断总结，大家认为二氧化钛忆阻器既不是离子充放电也不是晶格相变（当然，二氧化钛这种氧化物最多也就是多晶），而是形成TiO2+x的层。形象的说就是，产生了氧原子的导电细丝。

所以，答案是都不是，是导电细丝。

其实大家一直以来对导电细丝这种机理解释做的还不是很清楚。导电细丝几乎只在金属电极加半导体（近绝缘体）氧化物中产生。那到底是金属电极形成的导电丝，还是氧原子形成的？答案还真是不知道，在电流电压的作用下，氧空位的产生和金属离子的产生都是很有可能的。

为什么忆阻器跟神经形态芯片有关系？

从忆阻器诞生之初，惠普的研究人员就希望能用忆阻器实现仿生物突触的功能。生物神经系统的基础组成部件可以高度概括为神经元和突触两类实际的功能模型。神经元又分树突、轴突和胞体三部分。

树突：crossbar结构的互联装置。
轴突：传递向下一个神经元的消息。
胞体：产生激活函数这一类非线性变换。
突触：存储权值。