一、开发环境及工具
- HC32F003 / HC32F005
- Keil uVision5 V5.33 / IAR For ARM 7.80.4 (J-Link)
- 数字示波器
- 此工程源码下载路径 : https://gitee.com/amx/hc32ddl-app
二、测试目的
- 找到延时更准确的us级延时函数,用于实际项目
三、测试方法及前提条件
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系统主时钟HCLK和外设时钟PCLK均为24MHz
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配置引脚P32为输出管脚,通过延时函数切换高低电平,示波器查看波形
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不使用定时器中断的方法(现在DDL库函数版本自带的延时函数用systick时钟)
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主函数结构
int32_t main(void) { SystemInit(); // 24M主频 public_delay_init(); // 引脚初始化 while (1) { public_delay_test(); // 循环测试 } } -
测试模型
// us级测试,主频24MHz,只看高电平 { GPIO_SetHigh(); // 设置为高电平 delayus(xx); // 微秒延时 GPIO_SetLow(); // 设置为低电平 delayus(xx); // 微秒延时 }
四、实测数据
以下数据只记录高电平时间(低电平时长包含多余的汇编指令),代码均位于public_delay_test()函数内:
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测试步骤一
使用华大自带的库函数实现电平切换,不加任何延时函数:
Gpio_WriteOutputIO(DELAY_PORT, DELAY_PIN, TRUE); // 高电平 Gpio_WriteOutputIO(DELAY_PORT, DELAY_PIN, FALSE); // 低电平

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测试结果:
高电平时长为1.8us
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测试步骤二
是否感觉与实际理论值相差很远,我们直接调用底层的库函数实现,对比步骤一的效果:
*((volatile uint32_t *)((uint32_t)&M0P_GPIO->P0OUT + DELAY_PORT))|= ((1UL)<<(DELAY_PIN)); *((volatile uint32_t *)((uint32_t)&M0P_GPIO->P0OUT + DELAY_PORT))&= (~(1UL<<(DELAY_PIN)));

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测试结果:
高电平时长为450ns,很显然直接调用库函数会带来其它时间的消耗
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测试步骤三
为方便我们使用,我们自定义一个IO函数,减少部分不必要的延时消耗:
void GPIO_WriteHigh(en_gpio_port_t enPort, en_gpio_pin_t enPin) { *((volatile uint32_t *)((uint32_t)&M0P_GPIO->P0OUT + enPort))|= ((1UL)<<(enPin)); // 高电平 } void GPIO_WriteLow(en_gpio_port_t enPort, en_gpio_pin_t enPin) { *((volatile uint32_t *)((uint32_t)&M0P_GPIO->P0OUT + enPort))&= (~(1UL<<(DELAY_PIN))); // 低电平 }替换成我们的函数测试
GPIO_WriteHigh(DELAY_PORT, DELAY_PIN); GPIO_WriteLow(DELAY_PORT, DELAY_PIN);

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测试结果:
高电平时长为900ns,基本能满足微秒级的延时要求
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测试步骤四
用库函数自带延时函数测试,最低只有10us级的,而且用的是systick定时器来实现:
// timcnt = 1 , 13 us; // timcnt = 5 , 57 us; // timcnt = 10 , 111 us; // timcnt = 50 , 540 us; GPIO_WriteHigh(DELAY_PORT, DELAY_PIN); delay10us(timcnt); GPIO_WriteLow(DELAY_PORT, DELAY_PIN); delay10us(timcnt);

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测试结果:
一般比理论值大10%,现在已经是10us级别,再加上此误差值,有些项目场合不能接受;
当然你可以试着优化它内部实现,或者加些算法调整减少误差,这里不扩展,比如将延时改为:
delay10us(timcnt - (timcnt/10));
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测试步骤五
自带的不能用,那么我们自己实现延时函数,10us级别,利用空指令和For循环的方式实现:
void nrf_delay_10us(uint32_t nus) { for(;nus>0;nus--) { asm("nop");asm("nop");asm("nop");asm("nop");asm("nop"); asm("nop");asm("nop");asm("nop");asm("nop");asm("nop"); asm("nop");asm("nop");asm("nop");asm("nop");asm("nop"); ... ... } }替换成我们的函数
// timcnt = 1 , 11 us; // timcnt = 5 , 51 us; // timcnt = 10 , 100 us; // timcnt = 50 , 502 us; // timcnt = 80 , 800 us; GPIO_WriteHigh(DELAY_PORT, DELAY_PIN); nrf_delay_10us(timcnt); GPIO_WriteLow(DELAY_PORT, DELAY_PIN); nrf_delay_10us(timcnt);



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测试结果:
误差小于或等于1%,至此,该函数已经可以满足项目的需求了
五、总结
- 自带的10us级别延时函数误差10%左右,使用systick时钟实现,不适合精度较高的场合
- 自带的IO口电平切换函数会带来多余时间的消耗,可自定义函数减少不必要的耗时
- 受主频的限制,用此模型方法处理ns级别或者1us级别的精确延时并不合适,建议用于精度在10us级别场合
本文详述了在HC32F003/HC32F005微控制器环境下,通过不同方法实现微秒级延时函数的过程。测试了从直接调用库函数到自定义IO操作和空指令循环的优化,最终实现误差小于1%的10us级别延时,适合精度要求较高的项目应用。
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