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RSS订阅原创 理想运放与虚断虚短的来源
当输出减小时，根据分压关系，u+也要减小，也是负的，也就说u+比u-小得更多了，即u+与u-的差值更大了。前面这些有点绕，我们仔细想一下，逻辑是不是这样：当u+不等于u-时，输出就会变化，这个变化又会送回到输入端，图中为u-，进而导致u+与u-的差值变小，差值变小，意味着输入信号变小了（运放的输入是u+ - u-，也就是差值）。因此，不论电路初始状态电压是怎么样的，最终输出都会稳定在5V，而且u+ = u-，因为一旦u+不等于u-，那么在无穷大的放大倍数下，输出必然会变化，最终还是会导致u+ = u-。
2025-05-14 16:59:04
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原创 数字电路中电阻设计方法
在集成电路中，实现从几十欧姆到几兆欧姆的电阻（Rsense）及可变电阻，需要结合半导体工艺和电路设计技术。通过结合工艺选择和电路设计，芯片内部能够灵活实现从几十欧姆到几兆欧姆的电阻，满足不同场景的需求。2. 数字电位器（Digital Potentiometer）3. 熔丝/反熔丝（Fuse/Anti-Fuse）6. 新型技术（如相变存储器PCM、ReRAM）4. 激光修调（Laser Trimming）1. MOS管作为可变电阻。
2025-05-07 14:41:42
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原创 一文看懂EMMC原理及工作过程
CMD：用于设备初始化和命令传输的双向通道， CMD信号有2种工作模式：1#：漏极开路--->用于初始化模式2#：推拉--->用于快速命令传输其中命令从eMMC主机控制器发送到eMMC设备，响应从设备发送到主机。DAT [7:0]：双向数据信号，模式包括：1（DAT0）；默认情况下，通电或重置后，只有DAT0用于数据传输。DAT信号在推挽模式下工作，eMMC设备包括数据线DAT1-DAT7的内部上拉。进入4位模式后，设备立即断开线路DAT1、DAT2和DAT3的内部上拉；
2025-04-24 10:02:33
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原创 常用高速板材型号，及损耗与长度关系
高速信号的损耗由介质损耗（Df值）和导体损耗（铜箔粗糙度）共同决定，两者均随频率和传输长度增加而加剧。注：实际应用中需结合仿真工具（如SIwave、HFSS）验证设计，并考虑板材采购周期与成本。二、损耗与信号传输长度的关系。一、常用高速板材型号及特性。下一代光模块、智能汽车。通信基站、服务器主板。
2025-04-22 14:18:37
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原创 什么是半导体存储器件
半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制，使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。与磁盘和光盘装置等相比，具有等特点。关闭电源后存储内容会丢失的存储器称作易失存储器（Volatile Memory），存储内容不会丢失的存储器称作非易失存储器（Non-Volatile Memory）。
2025-04-18 17:19:52
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原创 ROM存储原理
微控制器具有存储程序和数据的存储器。另一方面，存储在存储器中的数据可以更改，微控制器可以根据需要更改数据。在关闭电源的同时丢失存储器中的数据，这是容许的。对于PMOS晶体管，观察电流的流向，其漏极和源极的作用是相反的。但是使用Flash ROM可以消除生成掩模ROM模式的成本，并且由于半导体工艺的改进，使用Flash ROM的总成本已经低于掩模ROM。程序ROM中每个单元的数据都是在制造商工厂生产微控制器的过程中直接写入的。解码器具有行解码器和列解码器，行解码器将选择矩阵的行，而列解码器将选择矩阵的列。
2025-04-18 17:13:21
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原创 CMOS集成电路设计中的电阻设计方法
例如，设电容器为多晶硅多晶硅型，时钟频率100 kHz，要求实现1 MΩ的电阻，求其面积。对于电容电阻器，由于其电阻值与电容大小成反比，因此有效的RC时间常数就与电容之比成正比，从而可以用电容和开关电容电阻准确的实现电路中要求的时间常数；由于常用的薄层电阻很小，通常多晶硅最大的电阻率为100 Ω/□，而设计规则又确定了多晶硅条宽度的最小值，因此高值的电阻需要很大的尺寸，由于芯片面积的限制，实际上是很难实现的。集成电路中的单片电阻器距离理想电阻都比较远，在标准的MOS工艺中，最理想的无源电阻器是多晶硅条。
2025-04-18 17:11:29
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原创 TVS选型要素及保护原理
但是 TVS 的工作电压高低也决定了 TVS 钳位电压的高低，在截止电压大于线路正常工作电压的情况下，TVS 工作电压也不能选取的过高，如果太高，钳位电压也会较高，所以在选择 VRWM 时，要综合考虑被保护电路的工作电压及后级电路的承受能力。TVS 由于具有响应速度快，钳位电压低，电压精准等优点，因而应用于对保护器件要求较高的场合，如汽 车电子、工业控制、照明，通信等行业，如 DC 电源线，RS485 接口，通信电源，I/O 口等。在 VRWM 下，TVS 呈现高阻态，认为是不工作的，即是不导通的。
2025-04-18 17:09:06
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原创 电感的Q值和谐振电路的Q值
其中公式二，是从阻抗角度定义谐振电路的品质因数，等于【谐振电路的非谐振状态下的等效电阻值】，除以【谐振状态下的容抗值或感抗值】其实公式二说的问题很简单，LC电路，在非谐振状态阻抗和谐振状态阻抗差异越大，这个LC电路的选频性能就越好，它Q值也就越大。而公式三的Q值，是从通带形状的角度定义谐振电路的品质因数，它等于谐振电路的中心频率fo除以谐振电路的带宽BW。对于谐振电路的Q值而言，用途不同的谐振电路，Q值不同，不是越大越好，合适就好；对于电感的Q值，越大代表L的等效电阻越小，所以Q值越高越好；
2025-04-18 17:00:41
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原创 什么是数字集成电路？
那么，当开关A为0，开关B也为0时，可以看到输入0连接到输出上，也就是输入0的信号被输出。同样，当开关A为1，开关B为0时，输入1的信号将连接到输出上。在TTL IC中，可连接IC的数量受到输出电流的限制，我们把允许连接的IC上限个数称为扇出。在漏极开路的电路中，不存在通常CMOS IC输出段（如图A左图）中和VCC相连的MOSFET，所以，无法输出高电平。可以理解为用多个逻辑门的排列就能实现多种功能的电路。“标准逻辑IC”的种类约有600多种，有最单纯的逻辑电路IC，也有高功能的、含有逻辑运算的IC。
2025-04-09 19:17:04
439
原创 什么是数字电路？
像这样用"0" 和"1"表示一定的电压范围，就可以形成在一定范围噪音下，不会发生误操作的牢固电路结构。最初在数字信号中使用2进制的原因是因为电路的"开"和"关"可以很方便地用"1"和"0"来表示。并且，开（"1"）和关（"0"）在实际的 IC中分别用"H"和"L" 表现高电压状态和低电压状态。2进制是以"0"和"1"表现数值的，各位数都是2的阶乘。于是，我们把处理连续信息的——模拟信号的电路称作"模拟电路"，把处理离散信息——数字信号的电路称作"数字电路"。是输入为1时输出0，输入0时输出1的电路。
2025-04-09 19:16:09
637
原创 什么是时序电路？
人类总是根据过去的经验，决定现在的行动，这时我们需要的就是—记忆。这种动作的触发器被称为D触发器，具有在时钟上升瞬间，保持（记忆）输入状态的功能，是一种时钟同步时序电路。由于使用逻辑门，会使电路规模变大，所以，一般使用4到6个FET，再经过优化，构成存储器的1位（图A）。换言之，就是现在的输出不会被过去的输入所左右，也可以说成是，过去的输入状态对现在的输出状态没有影响的电路。D触发器是在时钟信号（CK）的上升沿（信号从L→H的变化）或下降沿（信号从H→L的变化）时，保持输入信号状态，改变输出信号的触发器。
2025-04-09 19:14:41
821
原创 低速建链和高速建链
建链（Link Establishment）是指两个通信设备（如手机与基站、电脑与路由器）之间建立通信链路的过程。这一过程通常包括身份验证、参数协商、资源分配等步骤，以确保双方能可靠传输数据。LoRa、NB-IoT（窄带物联网）5G URLLC（超可靠低延迟通信）IoT、间歇性数据传输、高延迟环境。2. 低速建链 vs. 高速建链。实时交互、紧急通信、移动网络切换。低延迟、高吞吐量、实时性。1. 什么是“建链”？低（适合资源受限设备）高（需要快速分配资源）稳定性、节能、抗干扰。
2025-04-09 14:47:23
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原创 示波器有源探头和无源探头区别
通过理解上述区别与原理，用户可根据实际需求合理选择探头类型，优化测量精度与效率。高（典型值：10 MΩ并联10 pF）可达数GHz（例如10 GHz以上）需要外部电源（如电池或示波器供电）较低（例如1 MΩ并联1 pF）包含放大器、场效应管等有源元件。通常≤500 MHz（典型值）低（通常≤±10 V，易过载）极低（减少对被测电路干扰）高频、高精度、小信号测试。仅电阻、电容等无源元件。较高（易影响高频信号）高（可测数百伏电压）低频、高压、常规测试。
2025-04-09 11:28:12
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原创 电源过流保护打嗝模式原理详解
电源过流保护中的“打嗝保护3次自动关断输出”是一种智能保护机制，旨在应对瞬时故障的同时避免持续性故障带来的风险。通过这种机制，电源在保护硬件安全的同时，兼顾了对瞬时故障的容忍度，是工业与消费电子中广泛采用的保护策略。
2025-04-08 13:54:38
685
原创 PCB正负片
在PCB（印刷电路板）设计和制造中，“正负片”是指在PCB图形转移过程中使用的两种不同类型的底片或光绘文件，它们决定了图形的正反显示方式。通过合理选择和使用正负片，可以确保PCB图形的准确转移和制造，从而提高PCB的质量和可靠性。正片（Positive Film）负片（Negative Film）
2025-04-02 16:47:39
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原创 运算放大器基本电路用法
运算放大器是一种可以进行数学运算的放大电路。运算放大器不仅可以通过增大或减小模拟输入信号来实 现放大，还可以进行加减法以及微积分等运算。所以，运算放大器是一种用途广泛，又便于使用的集成电路。图1：运算放大器的电路符号如图1所示，运算放大器的电路符号有正相输入端Vin（+）和反相输入端Vin（－）两个输入引脚，以及一个输出引脚Vout。实际上运算放大器还有电源引脚（+电源、－电源）和偏移输入引脚等，在电路符号上没有表示出来。运算放大器的主要功能是以高增益放大、输出2个模拟信号的差值。
2025-03-24 10:36:52
924
原创 负反馈 和 正反馈 的核心区别
通过合理选择反馈类型，可以在 稳定性 与 响应速度 之间取得平衡，满足不同电子系统的需求。，抑制噪声、温漂和失真，减少系统对扰动的敏感度。，可能导致系统振荡或快速切换（如触发器的跳变）。线性输出，与输入成比例关系（如放大、滤波）。（增益与带宽成反比，增益降低则带宽增加）。稳定工作点、降低失真、提高输入/输出阻抗。非线性输出（如饱和、方波或正弦波振荡）。需保证相位裕度（>45°），避免振荡。送回输入端，削弱输入信号的作用。送回输入端，增强输入信号的作用。（高频振荡需满足相位条件）。3. 锁存器与触发器。
2025-03-20 13:54:01
700
原创 双极晶体管详解
总而言之，双极晶体管在上述每种电路配置中的行为都非常不同，并且在输入阻抗、输出阻抗和增益方面产生不同的电路特性，无论是电压增益、电流增益还是功率增益，下表对此进行了总结。
2025-03-15 15:26:50
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原创 MOSFET密勒效应的详细计算与分析
以增强型N沟道MOSFET为例介绍。注：下文图中MOSFET符号是耗尽型，图暂时不做修改了。情形一假设N沟道MOSFET的漏源之间存在电容Cds，Cds充满电。此时在栅极加电压，则Ugs瞬间变为Vg并保持不变；MOS管打开，Cds开始放电，放电电流恒定不变，Uds线性降低，直到为0。情形二在情形一的基础上，再假设MOS管的栅源间存在电容Cgs。此时在栅极加电压，Cgs开始充电，Ugs上升，由于Rg的作用，充电电流越来越小，Ugs上升的速度越来越慢，即dUgs/dt越来越小。
2025-03-15 15:22:54
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原创 MOS管的安全工作区SOA详解
SOA示意图中蓝色的就是Rds(on)限制线，简单理解，就是MOS管完全导通的时候，会有导通电阻Rds(on)，我们知道，此时MOS工作在欧姆区，有关系式Vds=Ids*Rds(on)，在我们固定条件Vgs和温度的情况下，Rds(on)就是一个常数，所以我们会看到这条曲线是线性的。还是以CSD25404Q3T为例，我们看DC这条线，在A点，功率P=1V*40A=40W，而在B点，功率P=20V*2A=40W，A点和B点的功率是相等的，这条线上的所有点的功率其实都是40W。
2025-03-15 15:16:34
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原创 TVS在汽车抛负载应用详细选型设计
相比于抛负载专用TVS，常规TVS并没有给出SOA曲线，细心的小伙伴可以发现前面浪涌尖峰电压是工作电压Va与浪涌电压Vs的叠加，这是抛负载里面常用的尖峰电压公式，实际普通应用场景浪涌电压无需叠加，给出监测到的浪涌电压Vs即可，通过Vs=Vbr+Ipp*(Ri+Rt)公式直接算出浪涌电流，其余步骤与前面一样，如果算出来的Ppp_act小于所选定的TVS功率，那就表示选型合适，鉴于实际工况浪涌尖峰可能会比预估的要高，条件允许的条件下，留有充足的裕量有助于提高产品整体的可靠性。Us表示5A浪涌冲击峰值电压；
2025-03-15 15:10:13
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原创 反向恢复时间trr的影响
该反向恢复电流对续流侧器件（Low side）本身的损耗影响很小，但如图3所示，对于开关侧器件（High side），由于在VDS变化之前这种反向恢复电流会叠加在正常的开关电流中，从而会造成非常大的导通损耗。在逆变器电路中，为了调整供给的功率，通过PWM和PFM等的控制，使High side（高边）和Low side（低边）的器件交替ON/OFF。根据该结果，可以说在选择逆变器电路中的开关器件时，要选择内部二极管具有高速trr的产品，这一点很重要。图4：不同trr特性的开关器件的开关损耗和波形比较（仿真）
2025-03-15 15:07:21
42
原创 主动器件和被动器件的区别
其实，主动元器件和被动元器件的核心区别就是：电子元器件内部是否有电源形式的存在。被动元器件也叫做无源器件，主动元器件则称为有源器件，所谓“源”指的就是“电压源”、“电流源”。简单来说就是，当电子元器件工作时，其内部没有任何形式的电源，这种器件叫做无源器件，也就是被动元器件，相对于带有内部电源的电子元器件则为有源器件（主动元器件）。
2025-03-15 15:04:57
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原创 共模电感抑制传导电磁干扰 原理
这样的结构，不仅可以保留共模电感量以充分滤除共模噪声，而且其漏电感形成的差模电感可以高达数百mH，配合适当的X电容，可以有效的滤除中低频段 (150kHz~3MHz) 的差模。(5)差模饱和电流 (Isat) : 如前所述，因为等效差模电感必须流过负载电流，在负载电流的峰值下，差模电感不能饱和，否则其滤除噪声的能力将降低。(3)差模阻抗 (Differential-mode Impedance, ZDM) : 同样的，量测等效差模阻抗的方法如图八所示，用差模阻抗特性图 (如图九)来定义差模滤波的效能；
2025-03-15 10:04:51
51
原创 电感基本公式
导体的一种性质，用导体中感生的电动势或电压与产生此电压的电流变化率之比来量度。稳恒电流产生稳定的磁场，不断变化的电流(交流)或涨落的直流产生变化的磁场，变化的磁场反过来使处于此磁场的导体感生电动势。电感是闭合回路的一种属性，即当通过闭合回路的电流改变时，会出现电动势来抵抗电流的改变。其中：L表示电感量、μ表示磁心的磁导率、Ae表示磁心的截面积、N表示线圈的匝数、lm表示磁心的磁路长度。2、L=phi/i（在电路中，当电流流过导体时，会产生电磁场，电磁场的大小除以电流的大小就是电感）。N2为线圈圈数的平方。
2025-03-15 10:01:34
1324
原创 Inductor Notes
电感是一种能将电能通过磁通量的形式储存起来的被动电子元件。通常为导线卷绕的方式，当有电流流过的时候，会从电流流过方向的右边产生磁场。
2025-03-15 10:00:20
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原创 MOSFET雪崩特性参数解析
但是，一些电源在输出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。对于那些在MOSFET的D和S极产生较大电压的尖峰应用，就要考虑器件的雪崩能量，电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用，MOSFET关断时会产生较大的电压尖峰。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。EAS单脉冲雪崩击穿能量, EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
2025-03-11 23:45:00
153
原创 三极管参数释义
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流。Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流。Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流。Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流。VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压。
2025-03-11 23:45:00
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原创 晶体管知识详解
按结构分类的MOSFET特性摘要基于各种MOSFET结构的特性和主要应用如表3-2所示。耐受电压：选择目标耐受电压的最佳结构。低导通电阻：U-MOS适用于250V及以下产品，SJ-MOS（或DTMOS）适用于大于250V的产品。高电流：与低导通电阻的趋势相同。高速：U-MOS由于栅极电容（Ciss）大，不利于高速开关。根据产品的不同，利用低导通电阻特性，具有较小“Ron×Ciss”设计的高速开关也实现了商业化。东芝名称U-MOSπ-MOSDTMOS通用名称沟槽栅极MOS。
2025-03-11 23:45:00
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原创 CAN Notes
相较于经典CAN，CAN FD帧中出现位错误的可能性有所增加。如下图，Node A按CAN协议，广播发送数据帧给B/C/D节点，每个节点的CAN控制器会检查数据帧是否正确，只有节点B校验正确，将数据存入RX缓存区，CAN节点B的CAN控制器通知主机它已接收到用户数据(中断)，或者主机注意到已接收到用户数据(轮询)。在ECU联网的初期，一个简单的CAN驱动程序（该驱动程序为应用程序提供与硬件无关的简单接口）、一个CAN控制器和一个CAN收发器（CAN transceiver）足以实现CAN接口。
2025-03-10 23:45:00
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原创 CAN总线为什么要使用双绞线
将一对相互绝缘的金属导线绞合在一起，不仅可以抵御一部分来自外界的电磁波干扰，也可以降低多对绞线之间的相互干扰，其原理是：把两根绝缘的导线互相绞在一起，干扰信号作用在这两根相互绞缠在一起的导线上是一致的（这个干扰信号叫做共模信号），在接收信号的差分电路中可以将共模信号消除，从而提取出有用信号（差模信号）。对于CAN总线应用，一般我们会推荐使用双绞线。在一个电缆套管里的，不同线对具有不同的扭绞长度，一般地说，扭绞长度在38.1mm～140mm内，按逆时针方向扭绞，相临线对的扭绞长度在12.7mm以内。
2025-03-10 23:45:00
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原创 数字音频接口之I2S/PDM/PCM
I2S全称Inter-IC Sound, Integrated Interchip Sound，或简写IIS，是飞利浦在1986年定义（1996年修订）的数字音频传输标准，用于数字音频数据在系统内部器件之间传输，例如编解码器CODEC、DSP、数字输入/输出接口、ADC、DAC和数字滤波器等。除了都是由飞利浦定义外，I2S和I2C没有任何关系。I2S是比较简单的数字接口协议，没有地址或设备选择机制。在I2S总线上，只能同时存在一个主设备和发送设备。
2025-03-10 23:45:00
623
原创 音频的采样量化
MP3格式文件比特率为128kbps、160kbps 和 192kbps，即意味着它们相对CD的原始数据压缩比分别为11:1（1411.2/128）、9:1（1411.2/160） 和 7:1（1411.2/192）。CD音质的采样率是44.1 kHz，AES推荐的绝大多数音频的采样率是48 kHz。比如，量化深度16 bit，采样的数字信号幅度有2^16 = 65536个档位。数字音频技术通过PCM调制方法，将模拟信号（音频）通过等间隔采样量化为数字信号（ADC），便于设计和应用中的传输和存储。
2025-03-10 19:13:55
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原创 BJT Notes
BJT全称：BipolarJunction Transistor，双极结型晶体管；即由两个背靠背，互相影响得PN结组成，当两个PN结的偏置条件（正偏/反偏），BJT将表现出不同的工作状态，对应四种状态：放大，饱和，截止，和倒置；
2025-03-09 23:45:00
41
原创 MOSFET Notes
金属氧化物硅场效应管，俗称MOSFET，是用于开关或放大电路中电压的电子器件。它是一种电压控制器件，由4个端子构成，分别是GATE（栅极），Source（源极），Drain（漏极）和主体（Body）/基板端子构成；主体（body）端子始终连接到Source极，因此，MOSFET将作为3端子器件工作。
2025-03-09 23:45:00
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原创 汽车连接器与线束检测项目
失效分析是对已失效的产品进行的一种事后分析工作，通过使用各种测试分析技术和分析程序确认产品的失效现象，分辨其失效模式或机理，确定其最终原因，提出改进设计和制造工艺的建议，来消除失效并防止失效的再次发生，提高电子连接器可靠性，它是产品可靠性工程的一个重要组成部分。“杂质”包括产品设计、制造、运输、使用和维修过程中，本身残留的、外界混入的和系统生成的全部杂质。• 2003年7月1日后，投放市场的车辆中确保不含Hg、Cd、Pb、Cr(VI)，组分（豁免条例中规定的除外）在所有部件和材料中禁用组分的限量。
2025-03-08 22:47:24
852
原创 连接器与线束测试
作为汽⻋重要的组成部分之⼀,连接器和线束相当于汽⻋各个系统的桥梁,是汽⻋电路中的核⼼零件,它的质量会直接影响⼀台汽⻋的质量和性能。根据汽⻋连接器和线束复杂的应⽤环境，如何对连接器和线束进⾏有效的质量评价，成为主机⼚、连接器和线束⼚商的迫切需求。连接器及线束⼴泛应⽤于传统燃油⻋的动⼒系统及新能源汽⻋的“三电系统”、⻋⾝系统、信息控制系统等各个⽅⾯，涉及⻋⾝和底盘系统、辅助驾驶系统、仪表及驾舱数据连接、信息娱乐解决⽅案、电机和动⼒系统应⽤以及主/被动安全系统等设备。连接器与线束测试主要服务包括。
2025-03-08 22:46:56
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原创 芯片模组AEC-Q104认证
其中，一大原则，在于MCM上使用的所有组件，包括电阻电容电感等被动组件、二极管离散组件、以及IC本身，在组合前若有通过AEC-Q100、AEC-Q101或AEC-Q200，MCM产品只需进行AEC-Q104H内仅7项的测试，包括4项可靠性测试:TCT(温度循环)、Drop(落下)、LowTemperature Storage Life(LTSL)、Start Up &Temperature Steps(STEP)；C组：封装组装完整性测试（8项）A组：加速环境应力测试（6项）H组：模块专项测试（7项）
2025-03-07 15:21:53
395
I2C协议标准及经典应用笔记
2025-03-01
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