MOSFET密勒效应的详细计算与分析

本文主要介绍下利用MOS管的密勒效应来设计冲击电流控制电路，通过定量分析较为精确的控制上电电流。

所谓冲击电流，电源电路上电时会对负载电容进行充电，相当于一个RC充电电路的电阻为零，理论上充电电流为无穷大。即使考虑导线的电阻和电容的ESR，这也是一个很大的冲击电流。网上有不少资料介绍密勒平台控制冲击电流的电路，但大多不满足硬件工程师的应用要求，即没有给出如何根据电流限制值，确定电路中器件参数。

一、什么是密勒效应

以增强型N沟道MOSFET为例介绍。

注：下文图中MOSFET符号是耗尽型，图暂时不做修改了。

情形一

假设N沟道MOSFET的漏源之间存在电容Cds，Cds充满电。

此时在栅极加电压，则Ugs瞬间变为Vg并保持不变；MOS管打开，Cds开始放电，放电电流恒定不变，Uds线性降低，直到为0。

情形二

在情形一的基础上，再假设MOS管的栅源间存在电容Cgs。