Airer_00的博客

提升DDR（Double Data Rate）的读写效率需要从硬件设计、系统配置、软件优化等多个维度入手。

VDD：核心供电电压（1.2V），为DDR4芯片的逻辑电路和存储单元供电。VDDQ：I/O供电电压（1.2V），专用于数据总线（DQ/DQS）的驱动电路。电流来源：VDD电流：主要来自芯片内部逻辑操作（如激活、刷新、预充电等）的功耗。VDDQ电流：主要来自数据总线（DQ/DQS）的驱动与接收操作，尤其是高频读写时的动态功耗。通过规格书中的IDD参数结合工作模式占比，可准确计算VDD和VDDQ的电流。