黑猫奥利奥的博客

本文为本人工作学习中常听到或常用到关乎于nandflash/fw的一些关键词合集，没有固定分类，不需要强行记忆，供查询使用。

1、nand组成的cell是什么？什么原理用来存储电荷？2、NAND Flash存储单元组织结构是什么样子的？3、nand的读写擦的本质原理是什么？4、program前必须erase的本质原因。

相信对于初学者，看到CE/LUN/DIE/PLANE/BLOCK/PAGE/CELL这些名词的时候，傻傻分不清，笔者当年才学习flash的时候，也一直对于这些名词处于一个混沌状态。后来仔细查阅资料，才终于搞明白。先来看图：Target/CE：在一个nand芯片中，共享CE引脚的多个LUN，成为Target。有多个LUN的时候，通过CE引脚来决定操作哪个LUN。LUN/Die：LUN：logical unit number，即逻辑单元。其别名就是Die。所以，Die就表示LUN。

ONFI5.1中规定nand封装尺寸有以下几种LGA52为什么不同的封装，会导致nand支持不同的data interface？封装尺寸和设计：不同的封装类型（如TSOP、WSOP、LGA、BGA等）具有不同的尺寸和设计，这可能影响可用的引脚数量和布局，进而影响支持的接口类型。电气特性：封装的电气特性，如信号完整性、阻抗匹配和电源管理，对高速数据传输至关重要。不同的封装可能具有不同的电气特性，从而影响对不同数据接口的支持。

稍微了解一点nand的朋友都知道，nand是由一个一个MOSFET（cell）组成，形成一个阵列结构，同时为了方便管理nand的这些cell，划分了lun、block、page等区域。下面两张图相信大家都是有见过的。个人认为，只要搞清楚上述讲解的几个周期的含义，就一定能搞懂行列地址和block、page、LUN之间的公式，反而这些公式让人不知所云。首先发送的是列地址，其次发送的是行地址。注意，SLC和TLC的寻址方式还不一样：TLC的page address是12bit的，SLC的是10bit的。

编程（写入）操作（programming operation）是用来将数据从cache寄存器或data寄存器搬运到一个或多个plane中。在编程操作中，cache和data寄存器中的数据内容会被内部控制逻辑修改

是指在任何工作条件下，设备允许的最大电压、电流、功率以及温度等参数的界限值。

此文章主要表明nand的每个命令的基本作用及主要命令的一些规则。更多详细知识点，由于实在太多，使用时候查看spec即可，此处不一一列出。

读干扰。即read page时候，会导致同BLK中的其他page产生干扰，导致数据出错。读干扰会发生在与待读取page同一Block中的所有其他page的cell上。1、想要知道read disturb原理，需要首先要先理解nand flash的存储原理。如图所示：其标识nand的一个cell，是一个浮栅MOS管，floating gate被绝缘体包围，内部可以储存电子，避免流失。同时，还需要知道，nand在物理上的结构如下图所示。形成了bit line、word line的结构。

TATTAT：Trap-assistedtunneling，陷阱辅助隧穿，也有叫法称为电荷陷阱现象。这是一种物理现象，它发生在非挥发性存储器，如NAND闪存。在这种效应中，存储在闪存单元浮动栅极上的电荷（电子）由于隧道氧化物中捕获的电荷形成的电场影响，导致电荷通过隧道效应从一个能级隧穿到另一个能级，从而造成电荷泄漏。这种电荷泄漏是导致闪存数据保持问题的主要原因之一，因为它可以改变存储在闪存单元中的电荷量，进而改变其阈值电压水平，最终可能导致数据错误。在NANDFlash中，电荷被存储在浮置栅极上。

在之前的章节中，我们知道了nand write的原理，此处不再赘述。用下面一张图1，表示program disturb和pass disturb。其实就能明白什么叫做program disturb和pass disturb了。图1WL3上同时存在不需要编程的Cell，比如说(BL1 WL3)的Cell。但是因为WL3增加了20V的高电压，所以会导致其他不被编程的cell也受到高压影响，然后导致电子进入浮栅中，形成弱编程。这些不需要被编程的cell称为program-inhibit cell。