本文依据不同型号NandFlash spec及个人工作经验整理而成,如有错误请留言。
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文章所在专栏:《黑猫带你学:NandFlash详解》
本文大约2000字,主要讲解:nand flash如何物理寻址、多plane又是如何寻址、相关计算公式等。从原理理解行列地址和block/page/LUN之间的关系。
抛砖引玉
稍微了解一点nand的朋友都知道,nand是由一个一个MOSFET(cell)组成,形成一个阵列结构,同时为了方便管理nand的这些cell,划分了lun、block、page等区域。下面两张图相信大家都是有见过的。


那么这些cell到底在那个LUN?哪个block?哪个page呢?他们的对应关系是什么?其实,他们之间是有对应关系的,大概示意图如下。
本文详细介绍了NAND Flash的物理寻址机制,包括行地址和列地址如何确定block、page和LUN的位置。通过实例分析了不同型号如MT29F4G08和3D NAND Flash的寻址过程,并探讨了多plane寻址的特点。内容还涉及了SLC和TLC的寻址差异以及物理地址计算公式。
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