黑猫带你学Nand第12篇：什么是NandFlash的Program Disturb & Pass disturb & Edge disturb？

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分类专栏： 黑猫带你学：Nand Flash详解 文章标签： nandflash 芯片 存储 nand
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文章所在专栏：《黑猫带你学：NandFlash详解》

1 定义

在之前的章节中，我们知道了nand write的原理，此处不再赘述。

用下面一张图1，表示program disturb和pass disturb。其实就能明白什么叫做program disturb和pass disturb了。


图1

program disturb

WL3上同时存在不需要编程的Cell，比如说(BL1 WL3)的Cell。但是因为WL3增加了20V的高电压，所以会导致其他不被编程的cell也受到高压影响，然后导致电子进入浮栅中，形成弱编程。

这些不需要被编程的cell称为program-inhibit cell。

影响范围：

影响较小。在NAND闪存中，当对某个Wordline（WL）进行编程操作

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