理解RAM的timing 【时序】之二

上面一篇文章说到CL的含义的问题，最后说到burst模式的问题，参考上一篇文章理解RAM的timing 【时序】之一最后的图就可以理解了，这里不再复述。

RAS 到 CAS 的延迟【tRCD】

含义就是从行选择信号到列选择信号的延迟。这个延迟越低越好。下图展示了一个tRCD=3的例子。

另外要提到的一点是这里使用的时钟仍然是real clock rate.

RAS Precharge【tRP】

当数据从内存传输出去之后，需要发射一个precharge信号来close一个行，使得内存能够准备接受下一次的内存访问，从上面的图可以看出active命令是一个读或者写周期的开始。

在上图中tRP=3

与其他参数一样，RAS Precharge 工作在内存实际时钟real closk下。

把我们已经了解的所有东西加到一起，就可以的出从发送precharge命令到实际得到数据需要等待的时钟周期总数为：tRP + tRCD + CL

其他参数

下面让我们详细看一下剩下的两个参数。一个是active to precharge 延迟【tRAS】另一个是Command Rate【CMD】。和其他参数一样，这两个参数工作在real closk下。参数越小，内存性能越好。

1. active to precharge延迟【tRAS】：在一个active命令发射之后，另一个precharge命令不能发射，直到两个命令之间的延迟达到tRAS，这个参数限制了内存在什么时候能够读取另外一行数据。

2. command rate【CMD】： 这是从片选到芯片到能够对这个芯片发送命令所需要的延迟。