硬件设计之mosefet

1 电路

1 可以看到NMOSE电流是D--S里面有个反向二极管是当mosefet关闭后需要反向导通功能设计的。

2 对于NMOS当在GS之间加一个正向电压比如15V此时NMOS的DS就会导通。

3 对于MOS来说GS之间添加的是电压源，如果是三极管那么在BE之间添加的是电流源。

4 三极管和mos的区别是在三极管be之间添加的是电流源而在mosGD之间添加的是电压源，也就是说当我们使用三极管的时候就需要考虑BE之间的电流一般是大于1mA。

  当我们使用的是mos的时候在GS之间添加的是电压，一般是大于阈值电压在datasheet中可以查到，注意是大于阈值电压，如果等于阈值电压那么mos不完全导通。

下面以datasheet说明如何学习一个mos

说明MOS是Nmos,DS之间的耐压是60V

这里说明当mos导通的时候Vgs之间的电压影响Rds电阻。

表名Vds之间最大电压为60V，一般我们实际电压源需要放余量比如30V，这样保证电路的正常工作。

表明GS之间最大电压为20V。

这里表明Id电流和文档有关。

瞬间电流可以达到200A,上面的85A和59A指的是持续电流。

mos的功率和温度有关。

指的是mos的阈值电压，也就是mos开启电压Vgs电压最好大于这个电压。

mos门极电阻。