mosefet米勒电容效应

最新推荐文章于 2025-11-07 11:29:24 发布
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#硬件 #mosefet

博客涉及硬件相关内容，重点提及MOSFET，但具体内容缺失。MOSFET是一种重要的半导体器件，在电子电路等硬件领域有广泛应用。
臭名昭著的MOS管米勒效应
记得诚
08-12 1万+
如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。 首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？ MOS管Vgs小平台 带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？ MOS管Vgs小平台有改善 为了理解这种现象，需要理论知识的支撑。
浅谈MOS管的米勒效应
Cerman的博客
08-29 9398
浅谈MOS管的米勒效应前言一、什么是MOS管的米勒效应？二、Mos损坏主要原因及开关原理是什么？1.导致Mos损坏主要原因2.Mos开关原理总结：Mos挑选的重要参数简要说明 前言 米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石，因为栅极给栅-源电容Cgs充电达到一个平台后，栅极的充电电流必须给米勒电容Cgd充电，这时栅极和源级间电压不再升高，达到一个平台，这个是米勒平台。 一、什么是MOS管的米勒效应？ mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程
MOS管内部米勒电容
最新发布
qq_59414103的博客
11-07 467
在驱动前，Crss上是高电压，当驱动波形上升到阈值电压时，MOS管导通，d极电压急剧下降，通过Crss拉低g脚驱动电压，如果驱动功率不足，将在驱动波形的上升沿阈值电压附近留下一个阶梯，如下图。然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。但因为MOS管的制造工艺，一定会产生Cgd，也就是米勒电容一定会存在，所以米勒效应不能避免。所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化很小，当Cgd和Cgs处在同等水平时，Vgs才开始继续上升。
MOS管的米勒效应
04-09
超级详细的关于MOS管的讲解，可以很清楚的看懂MOS管的开通关断过程，轻松搞定米勒效应
MOS管的米勒效应简介
莫比乌斯的硬件花果山
08-13 6864
一、弥勒平台介绍 Mos管的三极都会存在以下的三个电容，分别是：Cgs，Cgd，Cds。 米勒电容指的是Cgd。米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程 中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值（图中t2~t3阶段），过后Vgs电压又开始上升直至完全导通。米 勒效应阻止Vgs电压上升，使得导通时间变长，损耗剧增。为什么会有米...
精选资源
如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应
01-20
米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1)。　图1：下管因为寄生而...
减轻米勒电容所引起的寄生导通效应的方法
08-10
在电力电子领域，IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种广泛应用的功率开关元件，但在其开关过程中，米勒电容的存在会导致一个名为“米勒平台”的现象，从而引起不必要的寄生导通，影响系统的稳定性和效率。米勒电容是由...
论如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应
08-09
《减轻米勒电容导致的寄生导通效应策略探讨》 米勒电容，一个在模拟电路设计中不容忽视的元素，特别是在功率半导体器件如IGBT（绝缘栅双极晶体管）中，其存在可能导致意外的寄生导通效应，从而影响电路的稳定性和...
MOS管米勒效应电容问题你应该这样处理
08-04
处理米勒效应电容问题的关键在于优化驱动电路的设计。在驱动感性负载时，尤其是高电感负载，MOS管在关断瞬间会产生反电动势，可能导致漏极电压瞬间下降，也就是所谓的“漏极电压塌陷”。为了防止这种情况，工程师...
功率半导体器件中的米勒效应(Miller Effect)
u013024788的博客
01-17 1万+
分析了米勒电容和米勒效应，及其影响和解决方法。
米勒效应 场效应管驱动
12-11
本资源解释了场效应管桥驱动中米勒效应问题，问题分析到位
mos管的米勒效应
12-19
详细描述了MOS管的米勒效应，以及米勒效应的危害 。。。。
MOSFET（二）：米勒效应
热门推荐
既有随处可栖的江湖，也有追风逐梦的骁勇！
01-27 2万+
管做开关，做电源的缓启动，在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电，都有很好的益处。的开通损耗，但是在电源缓启动中有很大的用处。米勒平台虽然在高频开关状态会严重增加。的下降区间，大部分都在米勒平台之间完成，如果增加。管的任何两极之间都会存在寄生电容，分别是。没有增加，这段时间就是米勒平台。电压又开始上升直至完全导通。的下降时间，也就可以利用。电压上升到某一电压值后，电压有一段稳定值（图中。，驱动电流主要开始反向给。
硬件-MOS管-米勒电容
weixin_50833257的博客
02-24 3092
道友：任何时候都不要期待自己能改变任何人，就像天正在下雨，你可以选择撑伞或叫出租车，唯独不能跟雨较劲。
MOS管开关时的米勒效应——详细分析
weixin_45678750的博客
03-17 1万+
前言 对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
米勒电容引起的米勒效应
只要路是对的，就不害怕遥远
06-21 2564
看到这篇讲解米勒效应的文章，清晰易懂，这里也转载一下，感谢作者。 最近在调变频器的驱动电路，某一相的上、下桥臂驱动波形分别如下图中的黄色和紫色部分所示，从紫色波形不难看出，开关管关断后，驱动波形有一个尖峰（放大后的波形如第二幅图所示），这个尖峰就是由米勒效应造成的。 关于米勒效应的原理，下面这幅图（图片源自AVAGO的技术文档）给出了很好的讲解。以下桥臂为例，当下桥臂关断时，由于米勒电容的存在，会形成一个电流回路，这样在下桥臂的门极（G）和发射极（E）就会产生一个电压尖峰，即上面图中的驱动电压尖峰
MOS管米勒效应
xuxudeta的博客
09-11 5581
米勒效应
米勒电容与米勒效应
温故知新
12-24 5465
米勒平台是由于mos管的gd两端的电容引起的，即MOS管datasheet中的Crss, 这个过程是在给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平时，Vgs才开始继续上升。米勒效应会产生米勒平台，也就是开通阶段阻碍驱动电压的上升，关断阶段阻碍驱动电压的下降，延长了开关时间，导致损耗严重，降低了电路的效率。Cgd在MOS刚开通的时候，通过MOS快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台。Crss不是一成不变的，与漏极电压有关，电压越高，米勒效应越明显。
米勒电容和米勒效应
07-18
### 米勒电容和米勒效应的原理 米勒电容是指在MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中，栅极（G）和漏极（D）之间的寄生电容（Cgd），它在高频开关过程中对电路性能产生显著影响。当MOSFET处于导通状态时，栅极电压达到一定值后，Cgd开始被充电，而栅极电压在此期间保持相对稳定，形成所谓的“米勒平台”[^2]。 米勒效应是由于米勒电容的存在而导致的一种现象。在MOSFET导通过程中，当栅极电压上升到开启电压时，MOSFET开始导通，漏极电压开始下降。由于Cgd的存在，漏极电压的下降会导致Cgd上极板的正电荷被吸走，从而下极板吸收正电荷，这会暂时阻止栅极电压的上升，形成一个电压平台，即米勒平台。这一过程延长了MOSFET的导通时间，增加了导通损耗[^1]。 ### 米勒效应在电路设计中的影响 在电路设计中，米勒效应主要影响MOSFET的开关性能。特别是在高频开关应用中，米勒效应会显著增加开通损耗，因为栅极电压在米勒平台期间无法迅速上升，导致MOSFET在导通状态下的时间延长。这种效应在高频开关状态下尤为明显，因为它会导致更高的功耗和发热。 ### 米勒电容的应用 尽管米勒效应在高频开关应用中被视为不利因素，但在某些特定的应用场景中，它却可以被利用来实现有益的功能。例如，在电源缓启动设计中，通过增加MOSFET的米勒电容，可以延长MOSFET导通时的电压下降时间，从而实现电源的平滑启动。这种技术在热拔插、独立模块供电以及大功率设备的上电过程中具有重要的应用价值，因为它可以减少启动时的冲击电流，保护电路免受损害。 ### 代码示例 以下是一个简单的Python代码示例，用于模拟MOSFET导通过程中栅极电压的变化： ```python import numpy as np import matplotlib.pyplot as plt # 定义时间数组 t = np.linspace(0, 1, 1000) # 模拟栅极电压变化 V_gs = np.zeros_like(t) V_gs[t > 0.2] = 5 # 假设在0.2秒后达到开启电压 # 模拟漏极电压变化 V_ds = np.ones_like(t) * 10 V_ds[t > 0.2] = 0 # 假设在0.2秒后开始下降 # 绘制栅极电压和漏极电压变化 plt.figure(figsize=(10, 5)) plt.plot(t, V_gs, label='V_gs') plt.plot(t, V_ds, label='V_ds') plt.xlabel('Time (s)') plt.ylabel('Voltage (V)') plt.legend() plt.title('MOSFET Gate and Drain Voltage Simulation') plt.grid(True) plt.show() ``` ###
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