三极管和mosefet比较

本文介绍了三极管与MOSFET的基本特性及其应用场合。三极管作为流控流器件,其导通依赖于基极电流;而MOSFET为压控压器件,导通条件为栅源电压超过阈值。文中还探讨了两种器件在不同功率场景下的应用,并详细解析了MOSFET电路设计中加入下拉电阻的原因。

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1 三极管的特性

  三极管是一个流控流型的,只有Ib有电流才会导通。

2 mosefet的特性

mosefet是一个压控压型的,只有Vgs电压大于阈值时候才会导通。

3 在大功率的时候一般使用mosefet,在小功率的时候一般使用三极管。

4 一个单独的N型三极管当e极接地,b极流过1mA的电流此时C极断开不接任何东西,这时候我们说C极是悬空的也不会产生电流,因为C极是断开的。

 一个单独的NmosefetD极断开G极接阈值电压,S极接地,此时由于mosefet是压控压型的所以D极电压相当于0V。mosefet的下拉电阻一定要加一般选择20K或者选择更大一点的。也就是在Vgs之间加一个下拉电阻,目的就是帮Cgs电容放电。

5 我们在设计mosefet电路的时候一般在GS之间加一个下拉电阻大小20K左右。

6 R2的作用是因为mosefetGS之间有一个电容Cgs如果没有这个电容的,电流直接流进电容,开始的一瞬间电容的容抗很小那么这一瞬间会产生很大的电流,我们称为浪涌电流这个电流是起坏的作用。为去掉浪涌电流所以加一个电阻R2。



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