MOS管的耐压对性能参数及栅极电荷的影响

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#MOS管

MOS管在低电压器件中因其电压型控制和低驱动功率而广泛应用。耐压水平影响导通电阻，导通电阻随着耐压的增加呈指数增长。同时，开关速度主要受栅极电荷影响，栅极电荷越小，开关速度越快。选择MOS管时，应考虑耐压、导通电阻和栅极电荷对性能的影响，以优化开关变换器的效率和成本。

功率比较小的单管变换器的主开关通常采用MOS管，其优点是电压型控制，驱动功率低，低电压器件中MOS的导通压降和开关速度是最佳的。

  MOS管的耐压对导通电阻的影响：MOS的耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定，而MOS管是多数载流子导电器件，芯片电阻率直接影响器件的导通电阻。通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍，而同样大的芯片的导通电阻将变成33.3^(2.4~2.6)，大约为6400倍！如果还想保持导通电阻的基本不变就需要

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电子元器件-MOS管终篇中：MOS数据手册解读
qq_60226558的博客
10-08 1180
中提到的，手册给的典型值是VGS=1.7V时，导通，但我们不能给1.7V，1.7V对应的RDS太大了，不适合我们做功率相关的设计；[但VGS不是越大越好，后文的栅极充电栅极图中，我们看到VGS越大，则对于的Gate charge(充电时间)就越长，这也不是我们想要的，因为VGS的值还是要多考虑考虑]但不同的VGS下，导通电阻RDS是不一样的；所以我们如果想要一个40A的漏极输出电流，必须同时关注VDS,VGS的值，通过设置合适的VDS,VGS，得到40A，你只关注一个，是不可能达到40A输出的。
基于MOS管最大耐压值的反激变压器设计
07-20
由变换器预定技术指标可知变压器初级侧电压Vdcmin= 240 V, Vdcmax= 380 V, 预设效率η= 85%, 工作频率f = 65 kHz, 电源输出功率P out= 25 W。 变压器的输入功率： 根据面积乘积法来确定磁芯型号， 为了留有一定裕量， 选用锰锌铁氧体磁芯EE25/ 20, 电感量系数A L=1 750 nH/ N2 , 初始磁导率μi= 2 300, 有效截面积A e= 42. 2 mm2 . 因为所选的MOS 管的最大耐压值V MOSmax= 700 V.在150 V 裕量条件下所允许的最大反射电压： 其中， 磁感应强度Bw= 0?? 23 T ; 由于此变换器设计在断续工作模式k= 1（ 连续模式k= 0.5）。 其中， Va 是辅助绕组电压， V . 为了减小变压器漏感， 采用夹心式绕法， 初级绕组分N p1 （ 78 T ） 和N p2 （ 78 T） 两部分绕制， 如图4 所示， Np1 绕在骨架最里层， 次级绕组N s绕在N p1和N p2之间， 辅助绕组绕Na 在最外层。 图4 变压器绕制示意图
一文详解MOS管耐压特性及栅极电荷影响，你了解吗？
weixin_43747182的博客
06-28 1万+
功率比较小的单管变换器的主开关通常采用MOS管，其优点是电压型控制，驱动功率低，低电压器件中MOS管的导通压降和开关速度是最佳的。 　　MOS管的耐压对导通电阻的影响：MOS管的耐压水平由芯片的电阻率和厚度决定，而MOS管是多数载流子导电器件，芯片电阻率直接影响器件的导通电阻。 　　通常MOS管的导通电阻随耐压的2.4~2.6次方增加。如1000V耐压是30V耐压的33.3倍，而同样大的芯片的...
MOS管的选择
保持每天的清醒
09-29 8293
MOSFET是电路中非常常见的元件，常用于信号开关、功率开关、电平转换等各种用途。由于MOSFET的型号众多，应用面广，所以MOSFET的选型需要考虑的因素也比较多，许多工程师在选型时感觉无从下手。今天小编就来分享一下MOSFET的选型技巧。 我们以一个具体的项目来举例，现有一个直流有刷电机调速器项目。需要控制一个额定电压24V，额定电流2A的直流电机，实现调速。 选型的第一步，是要确定要用P沟道MOSFET还是N沟道MOSFET，这两种类型的MOSFET驱动电压是完全不同的。 P沟...
MOS管器件选型
打怪升级ing
07-23 5525
参考：仅仅只需7步 便秒懂MOS管选型-细说MOS管选型技巧-KIA MOS管 MOS管选型技巧 选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求...
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weixin_45274594的博客
09-15 9873
本文主要描述了MOS的相关参数及实际意义，希望在选型时能帮到大家
经验：MOS管的栅极不能浮空
08-03
在实际应用中，如果MOS管的栅极被悬空（浮空），它可能会处于一种不稳定的状态，因为栅极电荷会受到周围环境噪声的影响而发生随机变化。这种现象可能导致MOS管在没有预期输入的情况下意外导通或截止，从而破坏电路的...
MOS管栅极电荷
最新发布
10-26
MOS管栅极电荷（Gate Charge, Qg）是评估其开关性能的关键参数，理解它对电路设计（尤其是开关电源、电机驱动等高频应用）至关重要。以下是相关知识点的详细说明： **一、 栅极电荷（Qg）的原理** 1. **本质来源：...
【MOS管耐压与驱动电路设计】：驱动电路如何影响耐压性能的专业剖析
[【MOS管耐压与驱动电路设计】：驱动电路如何影响耐压性能的专业剖析](https://img-blog.csdnimg.cn/505dfdbca16144d3a97a258529e1e9a7.png) # 1. MOS管耐压性能的基础理解 MOS管（金属-氧化物-半导体场效应晶体管...
mos管gs加电容的作用
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MOS管正确选择的步骤
weixin_30429201的博客
11-17 1678
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PMOS开关管的选择与电路图
10-21
在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。
反激式开关电源的设计总结
04-22
介绍反激开关电源的设计过程，分享一些在网络上搜集的经典资料~~~
MOS管的选取及取样电阻的设计
m0_59329334的博客
03-17 1575
由于一开始MOS的D极接整流后的电压，电压会给MOS的寄生电容Cgd充电，电容产生左负右正的电动势，当MOS管达到阈值电压，开始导通时，电容Cgd通过MOS管放电，因而会分流PWM给MOS的寄生电容Cgs充电，因而产生一个米勒平台（图2中水平线，图1第一个上升的抖动时间，到第二个上升为止）又在米勒平台刚形成的时候，Id就已经达到最大值了，故而米勒平台将会产生开关损耗，这个持续的时间由这个米勒电容Cgd的大小决定。因而此下拉电阻的作用是给寄生电容Cgs提供一个放电回路，保证MOS的低电平可靠。
硬件电路-MOS管（是否导通及选型）
k273747372的博客
10-27 1009
如果G极接的是3V的电压D极接的是5V，通过上面两个曲线图可以看出，当Vds为5V时的最大电流为1.2A,当vgs为3V的最大电流大概是0.3A，所以在应用中不能超过这样的值。这是芯片手册的一处说明，第一个参数是源极到漏极的耐压，第二个是栅极到源极的耐压，第三个最大导通电流，第四个功耗，第五个温升，第六和第七是结温和工作温度。从这张图可以看出耐压是60V，导通电压是最小1V最大2.5V，漏电流80nA，漏极电流，导通电阻等等。这是我在立创上随便找了一个开关的nmos，厂家是江苏长电。
MOS管和电机驱动（一）：MOS管的栅极电阻和GS电阻 米勒效应与米勒平台
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注：本系列需要一定的模拟电路基础 MOS管，又叫绝缘栅型场效应管，属于电压控制电流型元件，是开关电路中的基本元件。其特点是栅极（G）的内阻极高。场效应管分为P型和N型，P型场效应管由于跨导小、阈值电压高等原因，已经逐渐被NMOS所取代。 图1 我们知道，MOS管还分为耗尽型和增强型，在实际工程中。我们使用的只有增强型P/NMOS，因为我们肯定不希望一开始就有一个漏极电流。在正式介绍mos管的驱动之前我们得说几个零碎的小知识（以下所有分析都是对NMOS而言的） Ⅰ寄生二极管（如上图中） 由于mos管本身的结
【模拟电路】MOS管的相关知识
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MOS管详解-1
温故知新
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下图是断路的，但是一旦GS电容上有电，DS实际上是导通的，与有没有回路无关，正是因为这样一个特性，当我们拿到一个MOS管时，不知道这个管子GS上有没有电，万一DS这个时候时导通的，直接焊接到电路板上，可能会出现问题。二极管钳位电压0.7V，实际上是和流过二极管上的电流是有关系的，电流越大，钳位电压越高，因为二极管有内阻。，有回路，有电流，则必然产生功耗，P=UI，W=Pt。MOS管需要去解决功耗的问题，也就是解决功率的问题，那一定不能是流控流型器件，不能有电流，除了电流还有电压，
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在做单片机控制小车的时候一定会用一个电机驱动板，这个电机驱动板是怎么做的呢，答案就是H桥，没学过电路的同学可能会问什么是H桥，这篇文章能很好的为你解释什么是H桥。我们希望STM32可以方便的调整电机速度，但STM32的IO接口电压和电流一般都是非常有限的，电压是3.3V，电流是8mA，所以为方便控制需要在微控制器和电机直接添加个驱动电路板，该电机驱动板有两种输入线：电源输入线和控制信号输入线。
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