Never Give Up

对于。

在nnn主要载流子浓度（电子）:nn≈NDnn​≈ND​次要载流子浓度（空穴）:pn≈ni2NDpn​≈ND​ni2​​在ppp主要载流子浓度（空穴）:pp≈NApp​≈NA​次要载流子浓度（电子）:np≈ni2NAnp​≈NA​ni2​​。

在ppp-型半导体中，空穴浓度ppp_ppp​近似等于掺杂浓度NAN_ANA​，因为受主掺杂是主要的空穴来源，热激发产生的本征空穴可以忽略。该关系是半导体物理中的基本特性，用于描述掺杂对载流子浓度的贡献。

公式。

公式JnμnE⋅n⋅qJn​μn​E⋅n⋅q表明电子漂移电流密度与电场强度EEE、电子浓度nnn、迁移率μn\mu_nμn​、以及电子电荷qqq成正比。这是半导体物理中漂移电流的基本关系，广泛用于分析电场对载流子运动的影响。

在扩散过程中的负号来源于，这是描述粒子（如电子或空穴）由于浓度梯度引起的流动的基本定律。负号的存在是由于扩散的方向与浓度梯度的方向相反，符合物理直觉。

爱因斯坦关系DμkTqμD​qkT​说明了在平衡状态下，扩散系数DDD和迁移率μ\muμ之间的直接联系。通过载流子漂移电流和扩散电流的平衡关系推导得出，该关系指出，扩散系数与迁移率之间的比值是一个与温度TTT成正比的常数。

迁移率是描述电荷载流子在电场作用下移动的“敏感度”或“响应能力”。它告诉我们在给定的电场下，载流子的速度（或漂移速度）如何变化。高迁移率表示载流子能快速响应电场，低迁移率则意味着载流子移动较慢。

除了漂移，另一种机制也会导致电流的产生。假设一滴墨水落入一杯水中，由于墨水分子在局部区域的高浓度，这滴墨水开始“扩散”，即墨水分子从高浓度区域向低浓度区域流动。这种机制被称为“扩散”。类似的现象也发生在半导体中。如果电荷载流子被“注入”半导体中，从而形成非均匀的载流子密度分布，那么即使在没有电场的情况下，载流子也会向低浓度区域移动，从而形成电流，只要这种非均匀性持续存在。因此，扩散与漂移是截然不同的机制。

在半导体中，电子或空穴的电流密度 (

对于一个 pn 结，在热平衡状态下，空穴和电子在交界区域形成耗尽区，耗尽区中的电场会阻止载流子的进一步扩散。这种电场产生了一个电势差，称为内建电势或内建电压V0V_0V0​。V0kTqln⁡NENBni2V0​qkT​lnni2​NE​NB​​kkk是玻尔兹曼常数，TTT是绝对温度（开尔文），qqq是电子电荷，NEN_ENE​是发射极的掺杂浓度，NBN_BNB​是基极的掺杂浓度，nin_in。

Δnx1Δnx1​表示的是相对于平衡状态，基极-发射极结在xx1x = x_1xx1​处的电子浓度的增加量。平衡状态下，电子浓度为nn0n_{n0}nn0​。Δnx1nx1−nn0Δnx1​nx1​−nn0​将nx1n(x_1)nx1​和nn0n_{n0}nn0​Δnx1ni2NBexp⁡VBEVT−1Δnx1​NB​ni2。

两者互为补充，共同构成了对 BJT 工作原理的全面描述。在某些设计和分析中，α 的使用更加直接和便捷，但在放大电路设计中，β 通常更为常用。（共基极电流增益）作为补充。这是因为它们分别适用于不同的电路模型和分析需求。虽然 β 是设计和分析 BJT 的常用参数，但 α 的引入是为了在。（共射极电流增益）来描述晶体管的特性，但仍然需要引入。的分析中，虽然我们经常使用。

大家都是这么说：解压的时候，没有将分卷压缩包分别解压，造成安装软件无法检测到kits分享一下我的错误，问了一下chatgpt，把三个安装包用cat合并再用tar解压，实际上只解压第一个压缩包，可以用du sh 压缩包命令查看大小3个多G直接将tar xvf 分别解压三个压缩包，实际上最后都放在一起，总共加起来大概8个G参考安装Spectre时，提示：To complete installing this release, you must specify the following media:

在linux_rhel50_gcc48x_64上报错，实际上已经是rhel60了，也没有gcc48x。打开IC618安装路径share/oa/bin/sysname，保险可以先备份一下。uname -r查看内核发行版本号(我的是5.15.0-125-generic)warning解决办法在配置bashrc中添加。有兴趣可以自己查一下。

参考：参考办法。

之前定义在cds.lib中SOFTINCLUDE /tools/cadence/virtuoso/ic618.180/share/cdssetup/cds.lib但是我这版在share/cdssetup/cds.lib中没有cds.lib可以在下一级dfII 中添加cds.libSOFTINCLUDE /home/x-xin/EDATools/cadence/IC618/share/cdssetup/dfII/cds.lib即IC618安装路径/share/cdssetup/dfII/cds.l

是 Cadence Virtuoso 平台的核心组成部分之一，它的全称是。在安装 Cadence Virtuoso 后，你可能会在软件目录中找到与。Cadence Virtuoso 平台由多个模块组成，而。或解决错误），可以告诉我，我会进一步帮助！如果你有特定的需求或问题（如如何配置。，是 Cadence 提供的一个。框架的重要组成部分。

来自：油管watch?v=-uRJjcbl3ng 第十七周之4 Common Source Stage with Diode-Connected Load。来自：https://www.slideserve.com/upton/single-stage-amplifier。拉扎维 Fundametals of Microelectronics书上这个例子应该列得是ix，有点问题，很怪。来自：https://www.slideserve.com/Patman/Lecture-18。来自：油管watch?

读者可能会疑惑为什么图5.2(a)中的输出端口保持开路，而图5.2(b)中的输入端口短路。由于电压放大器在正常操作期间由电压源驱动，并且所有独立源都必须设置为零，因此图5.2(b)中的输入端口必须短路以代表一个零电压源。与两端设备（如电阻器和电容器）的阻抗一样，输入（或输出）阻抗是在电路的输入（或输出）节点之间测量的，同时将电路中的所有独立源设置为零（即短路或断开电流源）[2]。如图5.2所示，这种方法包括在感兴趣的两个节点（也称为“端口”）之间施加一个电压源，测量由此产生的电流，并定义。

是为了描述器件（如MOSFET、BJT等）或电路部分被动地从其他部分（如电源、节点或其他电路）吸取电流的过程。这种术语不仅符合物理现象，还具有直观的比喻意义，帮助理解电流流动的方向和器件的工作机制。是一个常见的术语，表示一个器件或电路从电源、节点或另一部分电路中**“吸取电流”**（或消耗电流）。它通常被用来描述电流的流动方向以及某个电路部分的工作方式。在图中提到的共源放大器（CS 放大器）或其他拓扑结构中，描述 MOSFET 的电流行为时使用。

如图，拖动框可以放大波形按a可以看一个点，按b可以看一个点，dx和dy代表两个点差距按h可以出横线horizontal，按v可以出竖线vertical，create maker同样效果两个图像差距太大，可以用第一个分开在不同窗口查看

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（十六) 基于cadence 617 手算参数 μnCox,λ ,VTH仿真。Cadence仿真笔记：MOS的参数名称解释。模拟IC设计 如何得到手算参数（比较详细）有兴趣继续研究beff和betaeff。MOS管参数μCox得到的一种方法。打印直流参数，看来还是有差距的。

VSG​VSD​VTP​VSD​VGS​。

另外必应搜索这句话Metal 1 contact to poly or active，可以看到一些版图绘制示例，推荐一个网站看3D图https://www.vlsi-expert.com/2014/11/Metal-Contact.html。Design Kits下打开Physical Layers查找contact可以看到contact作用是Metal 1 contact to poly or active。

MOSFET: Common Source amplifier with diode connected load -油管watch?Mosfet as Diode Connected Transistor - 油管watch?L9-5 Diode Connected MOSFET - 油管watch?来自：giovanni anelli elec2005。

右上角和电源在一起的图标，点一下，在下拉框点击螺丝刀和扳手的图标。之前一直在左上角applications中找，记一下。

第一步打开设置settings右上角和电源在一起的图标，点一下，在下拉框点击螺丝刀和扳手的图标-第二步点击privacy，把screenlock从on修改为off

这两句是用动词 être构成的疑问句，用来提问对具体信息的描述性答案。（你的目的地是什么？（航班号是什么？Quelle和Quel根据所提问名词的性别（阴性/阳性）和单复数形式变化。

现在让我们找到在漏极被“pinch-off”（夹断）条件下，MOSFET漏极电流的表达式。三极区的表达式（公式 4.13）由图 4.10 中的倒置抛物线表示。这是经典的二次平方定律表达式，描述了 n 型 MOSFET 在饱和区（夹断状态）下的漏-源电流。因此，第一项表示反型层中平均电子电荷量的大小，第二项表示电子在电场中（电场强度等于。在夹断轨迹的右侧，晶体管工作在饱和区。的增加，曲线会因公式 (4.17) 的平方关系扩展开来。），如图 4.8 所示，其夹断点的轨迹由。，晶体管处于截止状态，漏极电流为零。

在公式 (4.17) 中，通道长度LLL位于分母。当vDSv_{DS}vDS​增大时，耗尽区扩展导致有效通道长度LeffLeff​减小，从而分母的值变小，漏极电流iDi_DiD​轻微增加。这种现象被称为“沟道长度调制”，是实际MOSFET器件中漏极电流对vDSv_{DS}vDS​的小幅依赖的原因。当vDSv_{DS}vDS​增加超过vDSATv_{DSAT}vDSAT​。

当漏-源电压vDSv_{DS}vDS​增大超过vDSATv_{DSAT}vDSAT​时，靠近漏极的通道区域由于反型层的耗尽而消失，形成一个耗尽区。此时，导电通道不再直接接触漏极，MOSFET的工作机制从导电通道主导转变为漂移机制。这种现象是MOSFET进入饱和区的关键标志，并导致漏极电流饱和的行为。

需要注意的是，使用 “三极区” 这个术语是因为 FET 的漏极电流依赖于晶体管漏端的电压。在该区域内，一个具有电阻的通道直接连接源极和漏极。的值对于给定技术是固定的，并且不能被电路设计者改变。对于小的漏源电压，第一项表示通道中每单位长度的平均电荷量，因为通道中的平均电压。第二项表示通道中载流子的漂移速度，漂移速度等于通道中的平均电场（即漏源电压。公式 (4.13) 在本文余下内容中频繁使用，请牢记！由于在通道中电流不会丢失，因此通道中每一点的电流。我们知道，施加到器件端子上的电压为。

大部分学校采用的微电子书籍， Sedra&Smith（S&S）的Microelectronic Circuits，可以看看豆瓣和知乎的评价https://book.douban.com/subject/2875254/，有第五版中文版但是好像已经绝版。大部分模集学不懂，是因为少了很关键得一部分，微电子学，从书的目录来看一般教授BJT，MOS和基本OP AMP放大器，结合反馈频率一些高级得知识点，还有输入电阻输出电阻二端口网络，这些在电路中也会教但是比较基础，还是得结合晶体管对照练习理论，

来自：理论讲解：写得不错但是没有例子解释这一套方法是为了确定开环增益。

魏博士分别于1994年、1997年和2001年在斯坦福大学获得电气工程学士、硕士和博士学位。2000年，他加入位于俄勒冈州比弗顿的Accelerant Networks（现属于新思科技），担任高级设计工程师。2002年，他进入哈佛大学。他的研究兴趣涵盖多个领域，例如集成电压调节器、灵活电压堆叠、电力电子、低功耗计算架构和电路、自动并行编译器等等。根据博士时间推测，他的老师应该是Mark Horowitz。Chip Gallery 可以看他们实验室流片。这个老师开设得这么课还不错。

个人主页https://www.ee.columbia.edu/~kinget/home.html主要看Teaching，教授课程，没有什么可以利用的东西，可以看看他们做得项目来自：https://www.zhihu.com/pin/1832303460441268225

一般指代：Sedra&Smith 或者 S&S，看见网页黑话就知道这本书了。英文名：Microelectronic Circuits。