43、电子电路设计技术的多维度创新与优化

电子电路设计技术的多维度创新与优化

1. 电压降分析与布局优化

在电子系统设计中，电压降是一个关键问题。从VRM（电压调节器模块）到数字管芯上的标准逻辑单元，会存在电压降现象。静态IR降（Iavg * Reff）是平均电流与VRM到标准单元电阻的乘积，平均IR降是所有标准单元IR降之和除以单元总数，最坏情况IR降是设计中所有实例中看到的最坏电压降。动态IR降（Vdynamic）可表示为：I(t) * Reff + Leff * di/dt，其中I(t)是通过标准单元的瞬时电流，Reff是VRM到标准单元的有效电阻，Leff是VRM到数字管芯内标准单元的有效阻抗。

以下是静态IR降和动态IR降的实验结果：
|设计|静态IR降平均（使用前）|静态IR降最坏情况（使用前）|静态IR降平均（使用后）|静态IR降最坏情况（使用后）|
| ---- | ---- | ---- | ---- | ---- |
|设计A|8.05 mV|12.9 mV|6.71 mV|11.65 mV|
|设计B|9.09 mV|11.92 mV|7.6 mV|9.29 mV|
|设计C|6.6 mV|10.82 mV|5.01 mV|9.5 mV|

设计	动态IR降平均（使用前）	动态IR降最坏情况（使用前）	动态IR降平均（使用后）	动态IR降最坏情况（使用后）
设计A