两层板如何做阻抗控制呢?

本文介绍了在两层板上实现阻抗控制的方法,重点讨论了共面阻抗的概念以及在没有专门参考平面的情况下如何通过包地来保持特征阻抗的稳定。特别提到了华为海思案例中的50Ω单端阻抗处理和包地的重要性。

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两层板如何做阻抗控制呢?

这个问题可能很多人都会碰到,有的人在此等需要做阻抗控制的情况都选择做多层板。诚然,多层板在阻抗控制,EMC等等方面都有着天然的优势。然而,在价格上和周期上,两层板就有着绝对优势了。

对于成本非常敏感而又不是太复杂的产品,尽管对于我们硬件工程师而言,有一堆的理由要求使用多层板。然而在面对毛都不懂的老板“别人能做,你为什么不能做?”这个问题时只得低下我们高傲的头颅。

好,那下面就来说说如何做的问题。

两层板做阻抗控制

先大致说下特征阻抗是怎么来的?信号在导线中传播的时候,会有电流的存在,那么就有电流返回路径,一般参考平面构成返回路径,特征阻抗就是电压大小与电流大小的比值。因此,阻抗控制的关键就是要有参考平面构成电流返回路径。

通常,多层板都有参考平面,两层板是没有专门的参考平面的。强行参考会因为板厚太厚导致计算出的走线宽度非常宽而无法使用。

所以,我们只能给“做”一个电流返回路径出来,当然了,这个路径必须均匀,保证特征阻抗不变。这个方法就是包地,也就是共面阻抗。

共面阻抗与哪些因素有关

我们知道,特征阻抗的公式是分布电感除以分布电容,然后开根号

因此,共面阻抗的大小与走线宽度,包地间距的关系很大。包地间距越小,走线越宽,则分布电容越小,阻抗越大。

几种常见的共面阻抗控制

很多人都在嘉立创打板,并且嘉立创也公布了自己常规的板材参数,所以我就以嘉立创为例子了。

几种阻抗参数如下表,是使用SI9000工具计算得出的

需要说明的是,本人实际在嘉立创做过含有USB2.0,USB3.0,HDMI等等含有差分90Ω和100Ω的信号的两层板,功能是没有问题的。虽然没有做过阻抗测量,但是实测HDMI信功能(PCB板按上述走线100mm左右,接口外接HDMI线缆长度5m,信号为4K@30fps)功能是OK的,想来阻抗应该是相差不多的。

以下是SI9000对应的阻抗截图

当然了,如果去其它家制板,对应参数需要相应调整下。

需要注意,可以看到,单端50Ω阻抗线宽为23mil,这么宽的线几乎是无法接受的,那么如何处理需要50Ω阻抗的信号线呢?那么我们来看看一个华为海思的两层板案例

海思两层板阻抗案例

案例来源于华为海思机顶盒HI3798MV100方案,含有DDR3,网口,USB3.0,HDMI等等需要做阻抗的信号。下面先看看其SDK里面的硬件设计指南里面的阻抗要求。

从表里面,HDMI差分线,DDR差分线,USB差分等等要求都跟标准一样,但是DDR单端走线4层板要求做50Ω,而2层板表示要优先控制线宽和线距,其对应阻抗为60-70Ω。

为什么2层板和4层板的阻抗要求会出现双标呢?

关于这个问题,我思考了一下,主要原因还是因为2层板共面阻抗做50Ω要求的线宽很宽,达到20多mil,这个是没法拉线的,因此只能放开阻抗要求,允许一定的信号反射的。从这里看,2层板做阻抗还是有一定的局限性的,最好还是做4层板,信号质量更好。

那么实际50Ω做成了60-70Ω对信号有多大的影响呢?

这个问题海思自然不会告诉我们,它只会让咱抄他们的demo走线,按照的它的要求去做板功能就不会有问题,如下图:

但是作为爱钻的咱,显然还是想看看信号到底是啥样子的,正好上期文章我们用Geogebra做的信号反射模型就派上用场了。

Geogebra相关参数如下:

海思的PCB的DEMO中DDR走线最长1000mil左右,对应的时延是167ps,实际工作中DDR3的时钟频率为800Mhz,查询DDR3协议,对应上升沿要求最大为100ps,可以计算得上升沿与信号走线延时的比值为bili=0.6。

另外,阻抗实际为70欧姆,那么源端反射系数为Sr=(50-70)/(50+70)=-0.17

同理,终端反射系数为Tr=-0.17

代入到Geogebra模型中,看到波形情况如图:

从图上,我们就能直观看到失真确实不是很严重。

下面看看PCB实际走线情况

注意,上图是需要控50Ω单端地址线走线,不是差分线,可以看到,其走线并没有2面都包地,只是包了一面,这应该是因为地址线太多,没法两面都包地,实际阻抗模型在SI9000里面也没有找到,所以并不清楚阻抗到底是多少,也不知道该如何计算。既然海思SDK文档里面说了阻抗是60-70Ω,姑且是相信是这样吧,汗。。。。

下面是差分100Ω和90Ω

可以看到,这些包地都是很连贯的,中间没有断,这很重要。如果断了,就相当于4层板信号线跨分割走线了。

本文小结

---两层板阻抗控制是通过包地来实现的,即共面阻抗

---两层板50Ω单端阻抗不好控制,差分90Ω,100Ω相对容易

---两层板阻抗控制包地是很重要的,包地间距要严格要求,并且需要连贯

<think>嗯,用户问的是单端阻抗共面阻抗的区别,我需要先回忆一下这两者的定义和应用场景。首先,单端阻抗通常指的是单根信号线与参考平面之间的特性阻抗,对吧?比如微带线或者带状线结构,这里的信号路径和返回路径(通常是地平面)形成回路。这时候的特性阻抗计算会考虑线宽、介质厚度、介电常数等因素。 然后是共面阻抗,可能指的是共面波导(CPW)结构下的阻抗,或者是共面地结构下的差分阻抗?这里可能需要明确一下共面阻抗的具体定义。共面波导通常是信号线两侧有地线,在同一层上,这样信号返回路径主要在两侧的地线上,而不是依赖下层的地平面。这种情况下,阻抗计算会涉及信号线宽度、与两侧地线的间距、介质厚度等因素。 不过有时候可能用户会混淆共面阻抗和差分阻抗,但根据问题描述,应该是单端和共面两种结构的对比。需要确认两者的应用场景有什么不同,比如单端用于普通信号传输,而共面结构可能在高频或需要更好屏蔽的情况下使用,比如微波电路。 接下来要考虑它们的计算方式差异。单端阻抗如微带线的公式涉及线宽、介质厚度、介电常数,而共面波导的阻抗则更多考虑信号线与两侧地线的间距以及线宽。另外,共面结构可能对周围环境的变化更不敏感,因为地线在同一层,减少了参考平面的依赖,适合多层中无法保证完整地平面的情况。 还有,损耗和串扰方面可能也有区别。共面结构因为两侧有地线,可能具有更好的屏蔽效果,减少串扰,而单端可能更容易受干扰,尤其是在高速信号中。不过高频时,共面波导可能有较低的损耗,因为电磁场分布更集中。 用户可能是从事PCB设计或高频电路的工程师,或者学生,需要了解不同阻抗结构的选择依据。他们可能在实际项目中遇到了信号完整性问题,想通过了解这两种阻抗的区别来优化设计。需要深入浅出地解释,避免过于专业的术语,但又要准确。 另外,可能需要举一些例子,比如单端常用于普通PCB走线,而共面波导用于射频电路或高速数字信号。同时,是否需要提及差分阻抗?如果用户的问题中提到的共面阻抗是差分对的情况,那可能需要另外说明,但根据问题描述,应该是指单端与共面波导的情况。 总结的话,应该分点说明两者的结构差异、应用场景、计算参数、抗干扰能力等方面的不同。确保用户能够明确区分两者的适用情况,从而在设计时出正确选择。</think>单端阻抗共面阻抗是两种不同的传输线阻抗类型,主要区别体现在信号传输结构、参考路径设计以及应用场景上。以下是两者的具体对比: --- ### **1. 单端阻抗(Single-Ended Impedance)** - **定义**: 单根信号线与参考平面(如地平面或电源平面)之间的特性阻抗,信号电流通过信号线传播,并通过参考平面返回,形成闭合回路。 - **典型结构**: - 常见于**微带线(Microstrip)**或**带状线(Stripline)**。 - 例如:PCB表层的走线(微带线)或内层夹在两个参考平面之间的走线(带状线)。 - **关键参数**: 阻抗由**线宽(W)**、**介质厚度(H)**、**介电常数(εᵣ)**决定。例如,微带线阻抗公式为: \[ Z_0 \approx \frac{87}{\sqrt{\varepsilon_r + 1.41}} \ln\left(\frac{5.98H}{0.8W + T}\right) \] - **特点**: - 依赖完整的参考平面,对平面完整性敏感。 - 易受相邻信号线干扰(串扰),高频时可能需额外屏蔽。 - 计算和设计相对简单,成本较低。 - **应用场景**: 常规低频或中速数字信号(如普通PCB走线)、非敏感模拟信号。 --- ### **2. 共面阻抗(Coplanar Impedance)** - **定义**: 信号线与**同层相邻的地线**共同构成的阻抗特性,信号返回路径主要在同层两侧的地线上,而非依赖下层参考平面。 - **典型结构**: - **共面波导(Coplanar Waveguide, CPW)**:信号线两侧有地线(GND),三者位于同一层。 - **共面地结构(Coplanar Strips, CPS)**:两条平行导体(一条信号,一条地)。 - **关键参数**: 阻抗由**信号线宽度(W)**、**信号线与地线间距(S)**、**介质厚度(H)**和**介电常数(εᵣ)**决定。CPW阻抗公式较复杂,通常需借助仿真工具。 - **特点**: - **不依赖下层参考平面**,适合多层中无法保证完整平面的场景。 - **抗干扰能力强**:两侧地线提供屏蔽,减少串扰和辐射。 - **高频性能好**:电磁场集中在信号线与地线之间,损耗较低,适合射频(RF)应用。 - **应用场景**: 高频信号(如微波电路、射频模块)、高速数字信号(如差分信号的一部分)、高密度PCB设计。 --- ### **3. 核心区别总结** | **特性** | **单端阻抗** | **共面阻抗** | |-------------------|----------------------------------|----------------------------------| | **参考路径** | 依赖下层参考平面(如地平面) | 依赖同层两侧地线 | | **抗干扰能力** | 较弱,易受串扰影响 | 较强,两侧地线提供屏蔽 | | **设计复杂度** | 简单,成本低 | 较复杂,需精确控制间距 | | **高频性能** | 较高频时损耗增加 | 高频特性更优(如射频应用) | | **适用场景** | 常规数字/模拟信号 | 高频、高速、高密度或射频电路 | --- ### **4. 实际应用示例** - **单端阻抗**:普通MCU的GPIO信号、低速SPI/I2C通信。 - **共面阻抗**:WiFi/蓝牙天线馈线、毫米波雷达信号线、高速SerDes接口的差分对(需结合共面地设计)。 通过合理选择阻抗结构,可以优化信号完整性、降低噪声并适应不同频率需求。
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