模拟电子技术经验公式-晶体三级管

晶体三极管
类型：NPN，PNP，下面都是以NPN为例
基极b，发射极e，集电极c
基区（P型半导体）很薄且掺杂浓度很低
发射区（N型半导体）掺杂浓度很高
集电区（N型半导体）面积很大
扩散运动形成发射极电流
复合运动形成基极电流
漂移运动形成集电极电流
发射极电流=基极电流+集电极电流
共射接法放大倍数为贝塔，共基接法没有放大能力
温度升高，贝塔增大，输入特性曲线左移
温度升高，非平衡少子增多，集电极电流增大
截止区发射结反偏，集电结反偏
放大区发射结正偏，集电结反偏
饱和区发射结正偏，集电结正偏
特征频率增大，贝塔减小，且产生相移